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安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOPTM 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。TRENCHSTOPTM技术,具有以下特点:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。低电磁干扰(EMI)。应用:感应烹饪。微波炉

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT

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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗

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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

特性:VCE = 650 V。 IC = 30 A。 引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。 引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。 为PFC和焊接应用优化的单片二极管。 稳定的温度特性。应用:PFC。 焊接

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特性:TRENCHSTOPTM技术。极低的关断能量。低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。低FMI。最高结温175°C。符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:不间断电源。焊接转换器

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特性:SCIS能量:在TJ = 25°C时为335mJ。 逻辑电平栅极驱动。 符合AEC Q101标准。 符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 线圈直接点火应用

汽车级10 A、600 V短路保护IGBT,带超高速二极管

采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT

600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT