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安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新的场截止 IGBT 技术,为汽车充电器、逆变器和其他需要低导通和开关损耗的应用提供最佳性能。

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安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为汽车充电器、逆变器和低导通和开关损耗至关重要的其他应用提供最佳性能。

ISL9V5036P3_F085 是下一代 IGBT,在 TO-220 塑料封装内提供卓越的 SCIS 能力。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供电压箝位,而无需外部组件。

N沟道,Vce=600V,Ic=23A,Vce(on)=1.95V

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N沟道,Vce=600V,Ic=60A,Vce(on)=1.85V

场截止第四代中速 IGBT 技术和全电流额定共封装二极管技术。

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、50 A,低损耗

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N沟道,600V,55A,Vce(on)=2.30V

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这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它们采用了先进的Power MESHTM工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

特性:VCE = 650 V-IC = 40 A。 由于TRENCHSTOP 5和CoolSiC技术的结合,具有超低开关损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替换纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175°C。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:工业开关电源。 工业不间断电源

安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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