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此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供卓越性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管,采用低正向电压。

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

特性:高速F5技术。 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 最高结温175°C。 经过动态应力测试。应用:非车载充电器。 车载充电器

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供卓越性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管,采用低正向电压。

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特性:针对低传导损耗进行优化。 采用国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 UPS

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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飞兆半导体的新型场截止第四代

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管,带有较低正向电压。

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