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二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
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Infineon(英飞凌)TO-220-3
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Infineon(英飞凌)D2PAK
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Infineon(英飞凌)TO-263
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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采用 TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT
ST(意法半导体)TO-247-4
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗
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汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT,Max247长引线封装
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
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特性:极低的VCE(sat) 1.5V(典型值)。 最高结温175°C。 短路耐受时间5μs。 TRENCHSTOP和场截止技术用于600V应用,提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。非常高的开关速度。应用:变频器。 不间断电源
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗
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onsemi(安森美)TO-3P-3
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FGHL60T120RWD采用新型场截止第七代IGBT技术和Gen7二极管,采用TO247三引脚封装,具有低传导损耗和良好的开关可控性,能实现最佳性能,可在电机控制、UPS、数据中心和高功率开关等各种应用中高效运行。
onsemi(安森美)TO-247
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