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二极管 / 晶体管型号

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1200 V、50 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,Max247长引线封装

ST(意法半导体)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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采用 TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、100 A 高速 HB2 系列 IGBT

ST(意法半导体)TO-247-4
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

ST(意法半导体)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)SPMIC-027
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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采用新型场截止第四代 IGBT 技术和 1.5 代 SiC 肖特基二极管技术,在各种应用中,特别是图腾柱无桥 PFC 和逆变器中,具有低导通和开关损耗,可实现高效运行。

onsemi(安森美)TO-247-3L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-247AD
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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这款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用坚固且经济高效的沟槽结构,在严苛的开关应用中具备卓越性能,兼具低导通压降和极小的开关损耗。

onsemi(安森美)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:短路耐受时间:在Tvj = 175°C时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175°C。 2500VRMS电气隔离,50/60Hz,t = 1min。应用:空调功率因数校正。 通用驱动器

Infineon(英飞凌)TO-247-3-AI
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

ST(意法半导体)TO-3P
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N沟道,Vces=500V,Ic=28A

Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:极低饱和电压:VCE(sat) = 1.5 V(典型值),IC = 120 A。 最高结温:TJ = 175°C。 正温度系数。 紧密的参数分布。 高输入阻抗。 100%的部件经过动态测试。应用:混合动力/电动汽车牵引逆变器。 辅助直流/交流转换器

onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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N沟道,双极晶体管

Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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SMA封装半导体放电管,高浪涌防护低残压开关管,可以各种通讯端口

R+O(宏嘉诚)SMA
二极管 / 晶体管半导体放电管(TSS)
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