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MCUSOC

USB单片机高速USB外围控制器

特性：核心:ARM 32 位 Cortex M7 CPU 带 DPFPU、ART 加速器和 L1 缓存:16KB 指令/数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器以零等待状态执行,最高 216MHz,MPU,462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 2MB 的闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行。SRAM:512KB(包括 128KB 用于关键实时数据的数据 TCM RAM) + 16KB 指令 TCM RAM(用于关键实时程序) + 4KB 备份 SRAM。灵活的外部存储器控制器,最高 32 位数据总线:支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、NOR/NAND 存储器。双模式 Quad SPI。Chrom ART 加速器(DMA2D),图形硬件加速器,可增强图形用户界面。硬件 JPEG 编解码器。LCD TFT 控制器,支持最高 XGA 分辨率

i.MX 8M Plus QuadArm Cortex-A53Core: Number of cores (SPEC)4SRAM (kB)支持外部存储器DDR4 SDRAM, ECC, L2 CACHE, LPDDR4 DRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, QSPISerial Communication3 x SPI, 4 x UART, 6 x I?CI2S-CAN2Serial Audio Interface (SAI)-EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM-ADC [Number, bits]Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)

这些产品将功能丰富的基于双核或单核 ARM Cortex-A9 的处理系统 (PS) 和 28 nm 可编程逻辑 (PL) 集成在单个器件中。ARM Cortex-A9 CPU 是 PS 的核心，还包括片上存储器、外部存储器接口和丰富的外设连接接口。

CW32L010 是基于eFlash 的单芯片低功耗微控制器，集成了主频高达48MHz 的ARM® Cortex-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至64K 字节FLASH 和多至4K 字节SRAM）以及一系列全面的增强型外设和I/O 口。 所有型号都提供全套的通信接口（二路UART、一路SPI 和一路I2C）、12 位高速ADC、四组通用和基本定时器、一组低功耗定时器以及一组高级控制PWM 定时器。 CW32L010 可以在 -40 °C 到 85 °C 的温度范围内工作，供电电压宽达 1.62V~5.5V。

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CH552芯片是一款兼容MCS51指令集的增强型E8051内核单片机，其79%的指令是单字节单周期指令，平均指令速度比标准MCS51快8-15倍。CH552支持最高24MHz系统主频，内置16K程序存储器ROM和256字节内部iRAM以及1K字节片内xRAM，xRAM支持DMA直接内存存取。CH552内置了ADC模数转换、触摸按键电容检测、3组定时器和信号捕捉及PWM、双异步串口、SPI、USB设备控制器和全速收发器等功能模块。CH551是CH552的简化版，程序存储器ROM为10K，片内xRAM为512字节，异步串口仅UART0，封装形式仅SOP16，触摸按键仅4通道，并且去掉了ADC模数转换模块和USB type-C模块，其它与CH552相同，可直接参考CH552手册和资料。

内核:M0+ 13个定时器 RTC:1 USB:1

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MCU芯片

N32G031 系列微控制器产品采用 32 位 ARM Cortex-M0 内核，最高工作主频 48MHz，集成高达 64KB 加密存储 Flash，最大 8KB SRAM；内置一个高速 AHB 总线，二个低速外设总线 APB 及总线矩阵，最多支持 40 个通用 I/O，提供丰富的高性能模拟接口，包括 1 个 12 位 1Msps ADC，最多支持 12 个外部输入通道、1 路独立的运算放大器、1 个高速比较器，同时提供多种数字通信接口，包括 3 个 U(S)ART、2 个 I2C、2 个 SPI、1 个 I2S。N32G031 系列产品可稳定工作于-40°C 至 +105°C 的温度范围，供电电压 1.8V 至 5.5V，提供多种功耗模式供用户选择，符合低功耗应用的要求。该系列产品提供包括从 20 脚至 48 脚的不同封装形式。

特性：最高120MHz工作频率，带存储器保护单元（MPU），内建单周期乘法和硬件除法，具有DSP指令集。 16K字节到64K字节的闪存程序/数据存储器。 4K字节的系统存储器作启动加载程序（Bootloader）用，可一次性配置成一般用户程序和数据区。 sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。 8K字节到16K字节的SRAM。 2.4至3.6伏供电和I/O引脚

是一款32位MCU，面向电机控制应用，集成了常见电机控制系统所需的所有模块。具有高可靠性、高集成度、小封装尺寸，节省BOM成本；集成4通道高速运算放大器和3通道比较器，满足不同系统拓扑的电流采样需求；高速运算放大器集成过压保护电路，支持以最简单的电路拓扑对MOSFET电阻进行直流采样；集成硬件MOSFET温度漂移补偿电路，确保电流采样精度；通过专有技术，ADC和高速运算放大器能良好协作，处理更宽的电流动态范围，同时保证高速小电流和低速大电流的采样精度；控制电路简单高效，抗干扰能力强，稳定可靠；2.5V-5.5V单电源确保系统电源的通用性；支持IEC/UL60730功能安全认证。适用于感应式BLDC/无感应式BLDC/感应式FOC/无感应式FOC和步进电机、永磁同步和异步电机等控制系统。

是32位主流MCU，适用于电机控制应用。具有高可靠性、高集成度、小封装尺寸，可节省BOM成本；集成4通道高速运算放大器和2通道比较器，满足不同系统拓扑的电流采样需求；高速运算放大器集成过压保护电路，支持以最简单的电路拓扑对MOSFET电阻进行直流采样；通过专有技术，ADC和高速运算放大器可良好协作，能处理更宽的电流动态范围，同时确保高速小电流和低速大电流的采样精度；控制电路简单高效，抗干扰能力强，稳定可靠；支持IEC/UL60730功能安全认证。

8KB RAM + 64KB Flash; 与STM32F030C8T6性能相当; STM32F030F4P6 / GD32F130F4P6: 4KB RAM + 16KB Flash

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MSP430G2332 具有 4KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和三级流水线，扩展指令集。 程序存储器：8KB Flash，在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器：640 字节真正的数据 EEPROM，耐久性 300k 周期。 RAM：1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC