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特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。 单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 20 KB的SRAM。 2.0至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）

它是一款基于 ARM Cortex™-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，具有增强的连接性能，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex™-M3 是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了运行频率为 108 MHz 的 ARM® Cortex™-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态，以实现最高效率。它提供高达 1 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 内存

特性：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU。最高288 MHz工作频率，带存储器保护单元（MPLU），内建单周期乘法和硬件除法。内建浮点运算单元（FPU）。具有DSP指令集。256 K字节至4032 K字节的内部闪存储器。sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。默认384 K字节的SRAM，最大可设定为512 K字节。具有16位数据总线的外部存储器控制器（XMC）：支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留

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特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB，SRAM为系统（192KB） + 备份（4KB），支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器，LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器，HSICLK为出厂校准的16MHz RC振荡器，LSICLK支持28KHz RC振荡器，PLL1为主锁相环，由四个参数配置输出频率，PLL2专门给I²C提供时钟信号的锁相环，由三个参数配置输出频率。 VDD范围为1.8~3.6V，VDDA范围为1.8~3.6V，备份域电源VBAT范围为1.65V~3.6V，支持上电/掉电/欠压复位（POR/PDR/BOR），支持可编程电源电压检测器（PVD）。 支持睡眠、停机、待机三种低功耗模式。 两个DMA，每个DMA有8个数据流，共16个

特性：40-MHz HCS08 CPU（20-MHz总线），HC08指令集，增加BGND指令，支持多达32个中断/复位源。 片上内存：闪存可在全工作电压和温度下进行读取/编程/擦除；高达2K EEPROM的在线可编程内存，8字节单页或4字节双页擦除扇区，可在执行闪存时进行编程和擦除，支持擦除中止；高达4K随机存取存储器（RAM）。

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率36 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 内存：64至128 Kbytes的闪存，10至16 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 调试模式：串行线调试（SwD）和JTAG接口。 DMA：7通道DMA控制器，支持的外设包括定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

TMS320F280023-Q1 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、64KB 闪存的汽车类 C2000™ MCU

TMS320F280025C 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128kB 闪存、CLB 的 C2000™ MCU

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

特性：32位RXv2 CPU核心: 最大工作频率：54 MHz，在54 MHz运行时可达88.56 DMIPS。 增强型DSP：支持32位乘积累加和16位乘减指令。 内置FPU：32位单精度浮点（符合IEEE754）。 除法器（最快指令执行需两个CPU时钟周期）。 快速中断。 具有5级流水线的CISC哈佛架构。 可变长度指令，超紧凑代码。 片上调试电路

特性：多种电源管理选项，可极大降低功耗：VBAT允许设备在RTCC模式下切换到备用电池，实现最低功耗。深度睡眠模式可近乎完全断电，并能通过外部触发唤醒。睡眠和空闲模式可选择性关闭外设和/或内核，大幅降低功耗并实现快速唤醒。打盹模式允许CPU以低于外设的时钟速度运行。 备用时钟模式允许即时切换到较低时钟速度，以选择性降低功耗。 深度睡眠模式下超低功耗电流消耗：WDT：典型值为3.3V时270nA。RTCC：典型值为≈32kHz、3.3V时400nA。深度睡眠电流典型值为3.3V时40nA

基于16/32位ARM7TDMI-S CPU，具备实时仿真和嵌入式跟踪支持，将微控制器与32 kB、64 kB、128 kB、256 kB和512 kB的嵌入式高速闪存相结合。128位宽的内存接口和独特的加速器架构可在最大时钟速率下实现32位代码执行。对于关键代码大小的应用，16位Thumb模式可将代码减少30%以上，且性能损失极小。由于尺寸小、功耗低，适用于对小型化有要求的应用，如访问控制和销售点

精密模拟微控制器，12位模拟I/O，具有增强型IRQ处理程序的ARM7TDMIMCU

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