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CBM9002A 系列是基于符合工业标准的增强型8051 内核的USB 型微控制器。支持USB2.0 协议高速480Mbps 以及全速12Mbps 两种模式。 增强型8051 可工作在48、24、12MHz 频率下；每个指令周期为4 个时钟，是标准8051 速度的3倍。

特性：动态效率线与批量采集模式（BAM）。 内核：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1MB的闪存；256KB的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

特性：超低功耗平台。 供电电压：1.65V至3.6V。 温度范围：-40°C至85°C/105°C。 待机模式（3个唤醒引脚）：0.3μA。 待机模式 + RTC：0.9μA。 停止模式（16个唤醒线）：0.57μA

特性：±1 LSB INL，无丢失码。 可编程吞吐量高达200 ksps。 多达17个外部输入，可编程为单端或差分输入。 内置温度传感器 (±3℃)。 符合USB规范2.0。 全速 (12 Mbps) 或低速 (1.5 Mbps) 运行

MSP430F6736A 具有 3 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、128KB 闪存、8KB RAM 的单相计量 SoC

特性：双核：32 位 Arm Cortex-M7 内核，带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存，频率高达 480MHz，有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令；32 位 Arm Cortex-M4 内核，带 FPU、自适应实时加速器，频率高达 240MHz，有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。

TMS320F280049C 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ MCU

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

适用于嵌入式应用的基于ARM Cortex-M3的微控制器，具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3是下一代内核，提供系统增强功能，如增强的调试功能和更高级别的支持块集成。可在高达100 MHz（部分型号）或120 MHz（LPC1759）的CPU频率下运行。ARM Cortex-M3 CPU采用3级流水线，使用哈佛架构，具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线，还包括一个支持推测分支的内部预取单元

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

MSP430FR6047 具有 256KB FRAM、LCD、12 位高速 8MSPS Σ-Δ ADC 和集成传感器 AFE 的 16MHz MCU

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300 nA：为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式下为30 nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为120 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为420 nA。停止2模式下为1.1 μA，带RTC的停止2模式下为1.4 μA

原FREESCALE(飞思卡尔)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU，856 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 高达2MB的闪存，支持边读边写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM和128KB用于时间关键程序的DTCM RAM），864KB的用户SRAM，以及备份域中的4KB SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 具备CRC计算单元。 支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级，具备安全访问模式。 多达168个I/O端口，具备中断能力；快速I/O，速度高达133MHz；多达164个5V容忍I/O

是i.MX RT系列的新型高端处理器，采用恩智浦先进技术，搭载高性能的Arm Cortex -M7内核，运行速度高达800 MHz，以及节能的Cortex -M4内核，速度高达400 MHz。处理器共有2 MB片上RAM，其中768 KB RAM可灵活配置为TCM或通用片上RAM。集成了先进的电源管理模块，带有DCDC和LDO稳压器，降低了外部电源的复杂性，简化了电源排序。还提供各种内存接口，包括SDRAM、RAW NAND FLASH、NOR FLASH、SD/eMMC、Quad/Octal SPI、Hyper RAM/Flash等，以及用于连接外设的各种接口，如WLAN、蓝牙、GPS、显示器和摄像头传感器等

TMS320F28377S 具有 400MIPS、1 个 CPU、1 个 CLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ MCU

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。 高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

是高度集成的低功耗USB 2.0微控制器。通过在单芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎（SIE）、增强型8051微控制器和可编程外设接口，提供了一种经济高效的解决方案，具有低功耗优势，适用于总线供电应用。其巧妙的架构可实现超过53 Mbytes每秒的数据传输速率，达到USB 2.0的最大带宽，同时采用低成本的8051微控制器，封装尺寸小至56 VFBGA（5 mm x 5 mm）。由于集成了USB 2.0收发器，比USB 2.0 SIE或外部收发器实现更经济，占用空间更小

TMS320F28379D 具有 800MIPS、2 个 CPU、2 个 CLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、CLB、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ MCU

嵌入式芯片，A SoC designed by Allwinner, CPU Arm A7 *2@1200MHz+, sip 128M DDR, rich audio and video interfaces, especially good at display