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CD74HC75 高速 CMOS 逻辑双路 2 位双稳态透明锁存器

SN74HCT573 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

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SN74LVC373A 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

SN74F573 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

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是16位D型透明锁存器，具有三态输出。该器件可用作两个8位透明锁存器或单个16位透明锁存器。该器件具有两个锁存使能（1LE和2LE）和两个输出使能（1OE和2OE），每个控制8位。当nLE为高电平时，输入端的数据进入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，其相应的D输入每次改变时，锁存器输出都会改变。当nLE为低电平时，锁存器存储在nLE从高到低转换之前的建立时间内出现在输入端的信息。nOE为高电平会使输出呈现高阻抗关断状态。nOE输入的操作不影响锁存器的状态。总线保持数据输入消除了使用外部上拉电阻来定义未使用输入的需要。

MC74HC573A的引脚排列与LS573相同。这些器件与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，它们也与LSTTL输出兼容。当锁存使能端为高电平时，这些锁存器对数据呈现透明状态（即输出异步变化）

SN74LVTH573 具有三态输出的 3.3V ABT 八路透明 D 类锁存器

是16位D型透明锁存器，具有三态输出。该器件可用作两个8位透明锁存器或一个16位透明锁存器。该器件具有两个锁存使能（1LE和2LE）和两个输出使能（1OE和2OE），每个控制8位。当nLE为高电平时，输入端的数据进入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，每次其相应的D输入发生变化时，锁存器输出都会改变。当nLE为低电平时，锁存器存储在nLE从高到低转换之前的建立时间内输入端出现的信息。nOE为高电平会使输出呈现高阻抗关闭状态。nOE输入的操作不影响锁存器的状态。总线保持数据输入无需外部上拉电阻来定义未使用的输入。

SN74ACT573 具有三态输出的八路 D 类透明锁存器

CD74HCT75 高速 CMOS 逻辑双路 2 位双稳态透明锁存器

该产品引脚排列与LS373相同，其输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。当锁存使能为高电平时，这些锁存器对数据呈现透明状态（即输出异步变化）。当锁存使能变为低电平时，满足建立和保持时间的数据将被锁存。输出使能输入不影响锁存器的状态，但当输出使能为高电平时，所有器件输出将被强制进入高阻态。因此，即使输出未使能，数据也可以被锁存。其功能与HC573A相同，HC573A的数据输入在封装的另一侧，便于PCB板布局。它是HC533A的同相版本。

SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74LVCH32373A 具有三态输出的 32 位透明 D 级锁存器

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SN74HC/HCT373是一个带三态输出的8位D型锁存器。该器件具有锁存使能(LE)和输出使能(OE)输入。当LE为高电平时，输入端的数据进入锁存器中。在这种情况下，锁存器是透明的，每次其相应的D输入更改时，锁存器输出都会更改。当LE为低电平时，锁存器储存LE下降沿前一个建立时间的输入端信息。OE上的高电平使输出呈现高阻态。OE输入的运行不会影响锁存器的状态。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

是一款具有三态输出的八路透明 D 型锁存器，有 8 个通道。

包含八个带三态输出缓冲器的 D 型锁存器。当锁存使能 (LE) 输入为高电平时，Dn 输入上的数据进入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，即每次其 D 输入改变时，锁存器输出都会改变状态。当 LE 为低电平时，锁存器存储在 LE 从高到低转换之前的建立时间内 D 输入上存在的信息。三态缓冲器由输出使能 (OE(overline)) 输入控制。当 OE(overline) 为低电平时，缓冲器被启用。当 OE(overline) 为高电平时，缓冲器处于高阻抗模式，但这不会影响将新数据输入到锁存器中。

SN74LVC373A 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器