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VHC373是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制D型锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入（LE）和输出使能输入（OE）控制。当锁存使能（LE）为高电平时，锁存器对数据呈现透明状态；当LE为低电平时，满足建立时间的数据将被锁存。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可以承受0V至7V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备份）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

由八个带三态输出的锁存器组成，适用于总线系统应用。当锁存使能 (LE) 为高电平时，触发器对数据呈现透明状态；当 LE 为低电平时，满足建立时间的数据被锁存。当输出使能 (OE(overline)) 为低电平时，数据出现在总线上；当 OE(overline) 为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。

是一款高性能、同相 16 位透明锁存器，工作电源电压范围为 2.3V 至 3.6V。该器件为字节控制，每个字节都有独立的输出使能和锁存使能输入，这些控制引脚可以连接在一起以实现完整的 16 位操作。高阻抗 TTL 兼容输入显著降低了输入驱动器的电流负载，而 TTL 兼容输出则提高了开关噪声性能。5.5V 的 VI 规格允许其输入由 5.0V 器件安全驱动

SN74LS75 四路双稳态锁存器

MC74HC259A 与 LS259 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。HC259A 具有四种运行模式，如模式选择表中所示。在可寻址锁存模式下，数据输入上的数据将写入已寻址的锁存。已寻址锁存沿用数据输入，所有未寻址锁存保持在之前状态。在内存模式下，所有锁存保持在之前状态，不受数据或地址输入的影响。在 1/8 解码或信号分离模式下，已寻址输出遵循数据输入的状态，所有其他输出为低电平状态。在重置模式下，所有输出为低电平，不受地址和数据输入影响。HC259A 作为可寻址锁存运行时，更改地址的多个位可能会造成瞬变错误地址。因此，应在内存模式下完成此类更改。

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LVX373包含八个带3态输出的锁存器，适用于总线组织的系统应用。 当锁存使能(LE)为高电平时，锁存器对于数据而言是透明的。 当LE为低电平时，满足输入时序要求的数据被锁存。 当输出使能(OE#)为低电平时，数据显示在总线上。 当OE#为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。 输入容许电压达7V，允许5V系统到3V系统的连接。

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VHCT573A 是一款先进的高速 CMOS 八路锁存，带 3 态输出，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。此 8 位 D 型锁存由锁存启用 (LE) 和输出启用输入 (OE#) 控制。当 OE# 输入为 HIGH 时，八个输出会处于高阻抗状态。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

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MC14099B 和 MC14599B 是 8 位可寻址锁存。对相应的锁存寻址（通过地址引脚 A0、A1、A2）且写禁用处于低电平状态时，数据以串行形式输入。芯片启用必须为高电平，以便写入 MC14599B。对于 MC14599B，数据引脚是一个双向数据端口；而对于 MC14099B，输入是一个单向只写端口。写/读行控制 MC14599B 中的这一端口。数据在 8 个锁存的输出端并行显示，与写禁用、写/读或芯片启用的状态无关。这两个零部件都具备主重置功能。

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