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RENESAS(瑞萨)/IDT-
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RENESAS(瑞萨)/IDT-
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RENESAS(瑞萨)/IDTTSSOP-48
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RENESAS(瑞萨)/IDT-
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-16-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MICROCHIP(美国微芯)PDIP-16
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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采用 BiCMOS 技术制造的 MIC5841/5842 集成电路，可广泛应用于各种外设功率驱动场景。这两款器件均配备一个 8 位 CMOS 移位寄存器、CMOS 控制电路、8 个 CMOS 数据锁存器和 8 个双极型电流吸收达林顿输出驱动器。这两款器件仅在最大电压额定值上有所不同
MICROCHIP(美国微芯)PDIP-18
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-18-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-18-300mil
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采用 BiCMOS 技术制造的 MIC5841/5842 集成电路，可广泛应用于各种外设功率驱动场景。这两款器件均配备一个 8 位 CMOS 移位寄存器、CMOS 控制电路、8 个 CMOS 数据锁存器和 8 个双极型电流吸收达林顿输出驱动器。这两款器件仅在最大电压额定值上有所不同
MICROCHIP(美国微芯)SOIC-18-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-20-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-18-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-44-EP(7x7)
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-14
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-18-300mil
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MICROCHIP(美国微芯)SOIC-24
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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由八个带三态输出的 D 型透明锁存器组成。当锁存使能 (LE) 为高电平时，锁存器工作在透明模式，锁存器的输出将随 D0 至 D7 处的数据变化。当输出使能 (OE) 为低电平时，锁存器的内容将出现在输出端。当 OE 变为高电平时，输出将处于高阻态。
UTC(友顺)SOIC-20-300mil
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I-CORE(中微爱芯)DIP-16
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RENESAS(瑞萨)/IDTTSSOP-48-6.2mm
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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