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HG74HC164 是一款采用高速 CMOS 工艺技术设计的两线输入的 8 位寄存器。寄存器由主从 D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。在时钟 CLOCK 上升沿到来时 8 位二进制数据（ $( \mathsf { Q a } \mathsf { \tilde { Q } } \mathsf { Q } )$ ）向右移一位。带有一个清 0 输入端，可以轻松实现输出数据的清零。改移位寄存器也可以根据需要实现多级芯片扩展输出。

8位串行移位寄存器，工作电压范围：3～15V，TTL兼容，对称输出特性，输入输出静电保护，三稳态输出

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AiP74HC/HCT165 是一个8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该电路具有一个串行数据输入（DS），八个并行数据输入（D0~D7）和两个互补的串行输出（Q7 和Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，将D0 到D7 的数据异步加载到移位寄存器中。

SN74LV164A 8 位并行输出串行移位寄存器

8-位移位寄存器（串行输入，并行输出）。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A，B），以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

是 8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，具有一个串行数据输入（DS）、八个并行数据输入（D0 至 D7）和两个互补串行输出（Q7 和 Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，数据从 D0 到 D7 异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时，数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入（CE）为低电平时，数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入可承受高达 15 V 的过电压，适用于高到低电平转换应用。本产品已通过汽车电子委员会 (AEC) Q100（1 级）标准认证，适用于汽车应用。

8位移位寄存器与大多数其他TTL逻辑系列兼容。所有输入均经过缓冲，以将驱动要求分别降低到一个74LS系列标准负载。输入钳位二极管可最大程度地减少开关瞬变并简化系统设计。这些并行输入、串行输入、串行输出移位寄存器在单片芯片上具有77个等效门

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是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL) 引脚兼容，符合JEDEC标准No. 7-A。是8位、非反相、串行输入、并行输出移位寄存器，为8位D型存储寄存器提供输入。移位和存储寄存器均提供独立时钟 (SHCP和STCP) 和直接覆盖清除 (SHR和STR) 功能。提供串行输出 (Q7S) 用于级联。移位和存储寄存器时钟均为正边沿触发。如果用户希望将两个时钟连接在一起，移位寄存器将始终比存储寄存器超前一个计数脉冲。

该产品是8位串行输入/并行输出移位寄存器，具有两个串行数据输入（DSA和DSB）和八个并行输出（Q0至Q7）。数据通过DSA或DSB串行输入，任一输入都可作为高电平有效使能，用于通过另一个输入进行数据输入。数据在时钟输入（CP）的低到高转换时移位。主复位输入（MR）为低电平时，将清除寄存器并强制所有输出为低电平，与其他输入无关。输入包含钳位二极管，可使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

SN74HC166是8位并行负载移位寄存器

是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL) 引脚兼容，符合JEDEC标准第7A号。是带有存储寄存器和三态输出的8级串行移位寄存器，移位寄存器有独立的时钟。数据在移位寄存器时钟输入 (SHCP) 的正跳变时移位，存储寄存器时钟输入 (STCP) 的正跳变时，每个寄存器中的数据被传输到存储寄存器。如果两个时钟连接在一起，移位寄存器将始终比存储寄存器超前一个时钟脉冲

SN74HCS596-Q1 汽车类 8 位串行输入/并行输出移位寄存器

该产品与LS164引脚排列相同，其输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。它是一个8位串行输入到并行输出的移位寄存器，提供两个串行数据输入A1和A2，因此可以将一个输入用作数据使能。数据在时钟的每个上升沿输入。低电平有效的异步复位会覆盖时钟和串行数据输入。

CD74HC597 具有输入存储的高速 CMOS 逻辑 8 位移位寄存器

高性能硅门极 CMOS MC74HC595A 包括一个 8 位移位寄存器和一个 8 位 D 形锁存，带三态并行输出。该移位寄存器接受串行数据，提供串行输出。该移位寄存器还向 8 位锁存提供并行数据。移位寄存器和锁存具有独立的时钟输入。此器件还具有用于移位寄存器的异步重置。HC595A 直接接口 CMOS MPU 和 MCU 上的 SPI 串行数据端口。

8位静态移位寄存器由MOS P沟道和N沟道增强型器件构成单块结构。这些移位寄存器主要用于并行到串行数据转换、同步和异步并行输入、串行输出数据排队，以及其他需要低功耗和/或高抗噪性的通用寄存器应用。

是一个8位串行输入/串行或并行输出的移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（DS）和一个串行输出（Q7S），以实现级联功能，还有一个异步复位MR输入。MR上的低电平将复位移位寄存器