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高性能硅门极 CMOS MC74HC595A 包括一个 8 位移位寄存器和一个 8 位 D 形锁存，带三态并行输出。该移位寄存器接受串行数据，提供串行输出。该移位寄存器还向 8 位锁存提供并行数据。移位寄存器和锁存具有独立的时钟输入。此器件还具有用于移位寄存器的异步重置。HC595A 直接接口 CMOS MPU 和 MCU 上的 SPI 串行数据端口。

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包含一个对8位D类存储寄存器进行馈送的8位串行输入、并行输出移位寄存器。该配置支持在输出保持静态的同时将数据加载到移位寄存器中。该器件包含三态输出，可禁用输出。该器件具有独立的移位寄存器输出 (QH)，用于串联移位寄存器。

8位静态移位寄存器由MOS P沟道和N沟道增强型器件构成，采用单芯片结构。这些移位寄存器主要用于并行到串行数据转换、同步和异步并行输入、串行输出数据排队，以及其他需要低功耗和/或高抗噪性的通用寄存器应用。

SN74LV595A-Q1 具有三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器

150mA/通道 8 位移位寄存器 20-SOIC -40 to 125

是一个带有存储寄存器和三态输出的8位移位寄存器，移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。数据在SHCP输入的上升沿移位，存储寄存器在STCP输入的上升沿将移位寄存器中的数据进行传输。如果两个时钟连接在一起，移位寄存器总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。VCC(A) 和 VCC(B) 可在1.1V至5.5V之间的任何电压下供电，使该器件适用于任何电压节点（1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V）之间的转换

CD4035B CMOS 4 级并行输入/并行输出移位寄存器

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SN74LV164A 8 位并行输出串行移位寄存器

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移位寄存器 8 位并联负载移位寄存器

是一个8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0 至 D7) 和两个互补串行输出 (Q7 和 Q7)。当并行加载输入 (PL) 为低电平时，来自 D0 至 D7 的数据将异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时，数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时，数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

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CD4094BE升级替代料，建议试样，CMOS 8 级移位存储总线寄存器

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这款4位寄存器具备并行和串行输入、并行输出、模式控制以及两个时钟输入功能。该寄存器有三种工作模式：并行（宽边）加载。