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8 位串行输入/并行输出移位寄存器；2V 至 6V 的宽工作电压范围；高电流三态输出最多可驱动 15 个低功耗肖特基晶体管 -晶体管逻辑器件 (LSTTL) 负载；低功耗：80 μA（最大值）ICC；Δtₚd = 13 ns（典型值）；电压为 5V 时，输出驱动为 ±6mA；低输入电流：1μA（最大值）；移位寄存器具有直接清零功能。

高速 CMOS 逻辑 8 位并行输入/串行输出移位寄存器 16-SOIC -55 to 125

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CD4021B CMOS 8 级静态移位寄存器

SN74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

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CD4015B CMOS 双路 4 级静态移位寄存器

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是8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和开漏输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有串行输入 (DS) 和串行输出 (Q7S) 以实现级联，以及异步复位 MR 输入。MR 上的低电平会同时复位移位寄存器和存储寄存器。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位。移位寄存器中的数据在 STCP 输入的低到高转换时传输到存储寄存器

TPIC6A596 用于增强级联、具有使能/关断功能的 8 位移位寄存器

TPIC6C596 汽车类 8 位移位寄存器

串行输出移位寄存器 16-SOIC 0 to 70

250mA/通道 8 位移位寄存器 20-SOIC -40 to 125

CD74HC165 高速 CMOS 逻辑 8 位并行输入/串行输出移位寄存器

TPIC6C596 汽车类 8 位移位寄存器

CD40194B CMOS 4 位双向通用移位寄存器

SN74LV595A 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

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SN74LV595A-EP 具有 3 态输出的 8 位移位寄存器（增强型产品）

8- Bit Shift Register (P- IN, S- OUT) 该移位寄存器采用硅栅C3MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出的8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入使能，每个时钟脉冲进行串行移位；当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿同步加载到寄存器中。CK- INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平