Clestek · 电子元器件型号库
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特性：40 MHz HCS08 CPU（中央处理器单元）。 20 MHz 内部总线频率。 HC08 指令集，增加 BGND 指令。 单线背景调试模式接口。 断点功能，允许在在线调试期间设置单个断点（片上调试模块中还有两个断点）。 片上实时在线仿真（ICE），带有两个比较器（BDM 中还有一个）、九种触发模式和片上总线捕获缓冲区
特性：40-MHz HCS08 CPU（20-MHz总线）。 HC08指令集，增加BGND指令。 支持多达32个中断/复位源。 Flash可在全工作电压和温度下进行读取/编程/擦除。 两种极低功耗停止模式。 低功耗等待模式。 适用于运行、等待和停止模式的极低功耗实时中断。 振荡器（XOSC）：环路控制皮尔斯振荡器；晶体或陶瓷谐振器范围为31.25 kHz至38.4 kHz或1 MHz至16 MHz
基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU，带256 K字节至4032 K字节 内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、 摄像头、18个定时器、3个ADC、29个通信接口
200MHZ主频Cortex-M4F，2MB Flash,512KB Sram,图像处理器，TFT支持1024*768的分辨率
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特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。
特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。 复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。 多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力
特性：处理器：Arm Cortex-M0+ CPU，最高运行频率48 MHz，单周期硬件乘法器，微跟踪缓冲区 (MTB)。 存储器：4/2/1/0.5 KB 读写同步 (RWW) 闪存部分（256KB 设备不可用）。256/128/64/32/16 KB 系统内可自编程闪存。32/16/8/4 KB SRAM 存储器。 系统：上电复位 (POR) 和欠压检测 (BOD)。内部和外部时钟选项，具备 48 MHz 数字锁频环 (DFLL48M) 和 48 MHz 至 96 MHz 分数数字锁相环 (FDPLL96M)。外部中断控制器 (EIC)。16 个外部中断
瑞昱RTD2556QR-VL-CG显示器控制器结合了模拟RGB输入接口、多个带有HDCP1.4的DP1.2数字输入接口、多个带有HDCP1.4的HDMI1.4数字输入接口以及带有HDCP1.4的DVI数字输入接口。内置MCU基于工业标准8051核心，并带有外部串行闪存。RTD2556QR-VL-CG适用于多种市场领域和显示应用，如显示器、一体机PC和嵌入式应用。
特性：片上2.5V稳压器。 实时在时钟源之间切换。 具备快速唤醒和双速启动的空闲、睡眠和打盹模式。 运行模式：每MIPS 1 mA，典型值2.0V。 睡眠模式电流低至典型值100 nA。 带32 kHz振荡器的待机电流：典型值2.5 μA，2.0V
基于ARM Cortex-M0+内核，提供高达256 KB闪存、48 KB RAM和完整的模拟/数字功能，将Kinetis E系列扩展到更高性能和更广泛的可扩展性。强大且增强的TSI为客户的人机界面（HMI）系统提供了高级别的稳定性和准确性。1 Msps ADC和FlexTimer有助于为无刷直流（BLDC）电机控制系统构建完美解决方案。
是高度可扩展的成员，提供高性能、具有成本竞争力的电机控制解决方案。基于运行频率为120 MHz的ARM Cortex-M4内核，结合浮点和DSP功能，提供了一个强大的平台，使客户能够构建高度可扩展的解决方案组合。
特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留。 运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）
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i.MX 8M Nano SoloLiteArm Cortex-A53, Arm Cortex-M7Core: Number of cores (SPEC)1SRAM (kB)512支持外部存储器DDR3L SDRAM, DDR4 SDRAM, ECC, LPDDR4 DRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, QSPISerial Communication3 x SPI, 4 x I?C, 4 x UARTI2S5CAN-Serial Audio Interface (SAI)5EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM4ADC [Number, bits]Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)
特性：核心：32位ARM Cortex M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护）。 528字节的OTP内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。 灵活的外部存储器控制器，具备高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 双模式Quad-SPI。 时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O
混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案
特性：40 MHz HCS08 CPU（中央处理器单元）。 20 MHz 内部总线频率。 HC08 指令集，增加 BGND 指令。 单线背景调试模式接口。 断点功能，允许在在线调试期间设置单个断点（片上调试模块中还有两个断点）。 片上实时在线仿真（ICE），带有两个比较器（BDM 中还有一个）、九种触发模式和片上总线捕获缓冲区
特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源供电。40°C至105°C温度范围。290 nA待机模式（3个唤醒引脚）。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式（16个唤醒线）
我们可以协助查找停产料替代方案，也可以按功能参数反向选型。