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MICROCHIP(美国微芯)QFN-72-EP(10x10)
接口芯片 / 时钟和计时时钟缓冲器 / 驱动器 / 分配器
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-32-EP(5x5)
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-32-EP(5x5)
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MC10EL/100EL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。该器件与 E111 器件功能类似,只是性能更高。EL11 的器件内歪曲率和输出传输时间明显快于 E111,特别适合用于需要终极交流性能的应用。EL11 的差分输入采用箝位电路来保持开路输入条件下的稳定性。如果输入保持开路(拉至 VEE),Q 输出将进入低电平。100 系列包含温度补偿。
onsemi(安森美)SOIC-8
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DIODES(美台)TSSOP-24
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onsemi(安森美)TSSOP-8
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Infineon(英飞凌)-
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NB6L611 是一款差分 1:2 时钟或数据扇出缓冲器。差分输入结合了通过 VTD 引脚访问的内部 50 Ω 端接电阻,接受 LVPECL、CML、LVDS、LVCMOS 或 LVTTL 逻辑电平。仅为此器件提供 VREFAC 引脚,即内部产生的供应电压。VREFAC 用作单端 PECL 或 NECL 输入的参考电压。对于单端输入情况,未使用的互补差分输入将作为开关参考电压联接 VREFAC。VREFAC 还可将电容器耦合输入重偏置。使用时,通过 0.01 ?F 电容器对 VREFAC 进行去耦合,并将源/汲电流限制为 0.5mA。不使用时,VREFAC 输出应保持开路。该器件采用小型 3mm x 3 mm 16 引脚 QFN 封装。NB6L611 属于一款 ECLinPS MAX 系列高性能时钟和数据管理产品。
onsemi(安森美)QFN-16-EP(3x3)
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DIODES(美台)TQFN-48(6x6)
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NB6L56 是一款高性能双路 2:1 差分时钟或数据多路复用器。多电平差分输入结合了内部 50 Ω 端接电阻,可通过 VT 引脚访问。该特性支持 NB6L56 接受各种差分逻辑电平标准,如 LVPECL、CML 或 LVDS。输出为 800 mV LVPECL 信号。
onsemi(安森美)QFN-32(5x5)
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-72(10x10)
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-32-EP(5x5)
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-32-EP(5x5)
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-32-EP(5x5)
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onsemi(安森美)-
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MICROCHIP(美国微芯)QFN-32-EP(5x5)
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MICROCHIP(美国微芯)MLF-16
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NB3V8312C 是一款高性能、低歪曲率 LVCMOS 扇出缓冲器,可基于最高 250 MHz 的 LVCMOS/LVTTL 输入分发 12 个超低抖动时钟。12 个 LVCMOS 输出引脚驱动 50Ω 串联或并联端接传输线路。这些输出还可通过 OE 输入禁用为高阻抗(三态),或在高电平时启用。NB3V8312C 提供启用输入、CLK_EN 引脚,同时启用时钟输出,或在低电平状态时对其禁用。因为此输入与输入时钟进行内部同步,仅在输入为低电平时进行变化,所以不会出现输出故障或矮脉冲生成。单独的 VDD 内核和 VDDO 输出电源允许输出缓冲器以与 VDD (VDD = VDDO) 的电源或更低电源电压允许。与单电源运行相比,双电源运行可实现更低功耗和输出电平兼容性。VDD 内核电源电压可设置为 3.3 V、2.5 V 或 1.8 V,VDDO 输出电源电压可设置为 3.3 V、2.5 V 或 1.8 V,但有个约束是 VDD >/= VDDO。
onsemi(安森美)QFN-32-EP(5x5)
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MICROCHIP(美国微芯)TSSOP-20
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