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是高性能、四路单刀双掷 (SPDT) 模拟开关,在3.0V VCC时典型超低导通电阻为0.5Ω。工作在2.3V至4.5V的宽VCC范围内,设计用于先断后通操作。选择输入与TTL电平兼容。还具有智能电路,即使控制电压低于VCC电源电压,也能将VCC泄漏电流降至最低。此特性适用于移动手机应用,允许与基带处理器通用IO直接接口,电池消耗最小。无需额外设备将控制电平转换为与VCC相同。采用QFN 3x3-16L封装。标准产品无铅且无卤。

是高性能、四通道、单刀双掷 (SPDT) 模拟开关,在3.0V VCC时典型超低导通电阻为0.5。工作在2.3V至4.5V的宽VCC范围内,专为先断后通操作而设计。选择输入与TTL电平兼容。还具备智能电路,即使控制电压低于VCC电源电压,也能将VCC泄漏电流降至最低。此特性适用于移动手机应用,允许与基带处理器通用IO直接接口,同时将电池消耗降至最低。即,在实际应用中无需额外设备将控制电平转换为与VCC相同的电平。采用QFN 3x3-16L封装。标准产品无铅且无卤。

双单极四掷 (SP4T) 模拟开关,工作电压范围为2.3V至3.6V。

低通态电阻 (10Ω),低电荷注入,出色的通态电阻匹配,低总谐波失真 (THD)。单电源运行电压范围为 1.8V 至 3.6V。

该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷(SPDT)开关结构,集成10个独立通道,支持1.65V至5.5V宽工作电压范围,适应多种低电压应用场景。器件导通电阻典型值为4.3Ω,可有效降低信号路径中的损耗,提升传输效率。其设计适用于便携式电子设备、通信模块、音频切换系统及测试测量仪器等领域的信号路由控制,能够实现高效、可靠的模拟或数字信号切换功能,满足高性能电路对信号完整性的要求。

具有断电保护功能的汽车类 3.3V、4:1、2 通道模拟多路复用器 16-VQFN -40 to 125

CD4053B是三重2通道多路复用器,具有三个独立的数字控制输入A、B和C以及一个禁止输入。每个控制输入选择一对通道,配置为单刀双掷。

工作电压:1.5V-5.5V;2个通道.

FSA266 或 NC7WB66 是一款超高速(UHS)双单刀单掷(SPST)模拟开关或 2 位总线开关。该器件采用先进的亚微米 CMOS 技术制造,可在较宽的 VCC 范围内实现高速导通和关断时间以及低导通电阻。该器件规定在 1

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低电压高带宽总线开关,支持2.5V/3.3V电源,具有低导通电阻和平坦的导通特性。适用于高速通信和数据密集型计算系统。

数字控制的模拟开关,使用硅栅CMOS技术,借助标准CMOS集成电路的低功耗特性实现与LSTTL接近的运行速度。可控制在整个电源电压范围内变化的模拟电压,是双向开关,可将任何模拟输入用作输出,反之亦然。具有低导通电阻和低关断泄漏,所有器件均具有使能控制,当处于高位时将禁用所有开关,将其置于关断状态。

低导通电阻,快速切换速度,处理轨到轨模拟信号,消耗极低静态功率。

2.5-V/3.3-V 低电压高带宽总线开关,支持0到5V信号电平,具有低导通电阻和低电容负载。

CH482D、CH483M、CH483X、CH484M、CH481D 和 CH486F 是基于射频(RF)技术的差分高速信号双向模拟开关,具有高带宽和低导通电阻。CH482D 包含 2 通道差分超高速信号 2:1 模拟开关(双刀双掷,QPDT),可用于 USB 3.0 超高速、PCIe Gen1/2、SATA/SAS 1.5G/3G/6G、Display Port 等 2 通道差分信号的二选一开关。

16位到8位SPDT千兆LAN开关,具有低导通电阻和低串扰,适用于10/100/1000Base-T信号切换。

低电压、低导通电阻、SPST、CMOS模拟开关

该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷(SPDT)拓扑结构,提供10个独立信号通道,适用于复杂信号路径管理与切换应用。器件支持1.65V至5.5V宽电压范围工作,具备良好的电源适应性。其导通电阻典型值为4.3Ω,可有效降低信号传输损耗,提升系统整体信号完整性。适用于通信设备、消费类电子产品及高性能测试仪器中的信号路由控制,实现高效、可靠的模拟或数字信号选择与分配。

TMUXHS4212 2 通道 16Gbps 2:1/1:2 差分多路复用器/多路信号分离器

宽电源电压范围:1.08V至5.5V,低泄漏电流:3pA,低电荷注入:-1.5pC,低导通电阻:1.8Ω,-40°C至+125°C工作温度。