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特性：工作电压范围：2.7V至5.5V。环境温度范围：高速运行（HSRUN）模式下为 -40°C至105°C，运行（RUN）模式下为 -40°C至150°C。Arm Cortex-M4F/M0+内核，32位CPU，在HSRUN模式下支持高达112MHz的频率，每MHz可达1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm内核，集成数字信号处理器（DSP）、可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）和单精度浮点单元（FPU）。4-40 MHz快速外部振荡器（SOSC），外部时钟模式下支持高达50MHz的直流外部方波输入时钟。48 MHz快速内部RC振荡器（FIRC）。8 MHz慢速内部RC振荡器（SIRC）。128kHz低功耗振荡器（LPO）

是嵌入式闪存类型的8位高性能1T 8051架构微控制器。指令集与标准80C51完全兼容，性能得到增强。包含高达18K字节的主闪存APROM，用于存储用户代码。闪存支持在应用编程（IAP）功能，可实现片上固件更新。IAP还可将用户代码数组的任何块配置为非易失性数据存储，可通过IAP写入，通过IAP或MOVC指令读取。还有一个额外的闪存LDROM，通常用于存储引导代码以执行在系统编程（ISP）。LDROM大小可配置，最大为4K字节。为便于编程和验证，闪存允许...

使用带有硬件乘法器的AVR处理器，运行频率高达20 MHz，在20引脚封装中具有16/32 KB Flash、2 KB SRAM和256字节EEPROM。采用最新技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和SleepWalking、精确的模拟特性和独立于内核的外设。集成QTouch外设触摸控制器，支持带驱动屏蔽的电容式触摸接口。

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C。 存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，具备扩展指令集。存储器:程序存储器：8 Kbytes Flash，在55℃下10 kycles后数据保留20年。数据存储器：640 bytes真数据EEPROM，耐久性300 kycles。RAM：1 Kbytes。时钟、复位和电源管理:2.95至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

特性：核心：32位Arm Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz，工作温度范围为-40℃至85℃/105℃/125℃。 存储器：高达64 Kbytes的闪存，带保护和可安全区域；8 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7V至3.6V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）。 多达44个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多个5V容忍I/O

2V~3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM Cortex-M3主频（MAX)：73MHz ROM类型：FLASH 64K

特性：超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式（16 个唤醒线）

主流超值系列，Arm Cortex-M0+ 32 位 MCU，高达 512KB 闪存、144KB RAM、6x USART、定时器、ADC、通信。 I/F，2-3.6V

TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

高性能、低功耗的8位微控制器，采用先进的RISC架构，具有133条强大的指令，其中大多数指令在一个时钟周期内执行。该微控制器包括32 X 8通用工作寄存器和外设控制寄存器，支持全静态操作，并在16MHz时可达到高达16MIPS的吞吐量。它还具有片上2周期乘法器。ATmega128A提供128K字节的系统内自编程Flash程序存储器、4K字节EEPROM和4K字节内部SRAM。存储段具有高耐久性，Flash的写/擦除周期为10,000次，EEPROM的写/擦除周期为100,000次，在85℃下数据保持时间为20年，在25℃下为100年。提供带有独立锁定位的可选引导代码段，微控制器支持真正的读-写同时操作。最多可以利用64K字节的可选外部存储空间，并包含用于软件安全的编程锁和用于系统内编程的SPI接口。JTAG（符合IEEE std. 1149.1标准）接口提供了边界扫描功能、广泛的片上调试支持以及Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位的编程。外设特性包括两个带独立预分频器和比较模式的8位定时器/计数器，两个扩展的带独立预分频器、比较模式和捕获模式的16位定时器/计数器，一个带有独立振荡器的实时时钟，两个8位PWM通道，六个分辨率可编程从2到16位的PWM通道，输出比较调制器，一个8通道10位ADC，具有8个单端通道、7个差分通道和2个增益可编程为1X、10X或200X的差分通道。此外，还包括面向字节的两线串行接口、双可编程串行USART、主/从SPI串行接口、带有片上振荡器的可编程看门狗定时器以及片上模拟比较器。特殊的微控制器特性包括上电复位和可编程掉电检测、内部校准RC振荡器、外部和内部中断源、六种睡眠模式（空闲、ADC降噪、节能、掉电、待机和扩展待机）以及软件可选的时钟频率。当通过熔丝选择时，该设备与ATmega103兼容，并包含全局上拉禁用功能。该微控制器有53个可编程I/O线，提供64引脚TQFP和64焊盘QFN/MLF封装。工作电压范围为2.7V至5.5V。

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

PY32F002B系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核，宽电压工作范围的MCU。嵌入24Kbytes Flash和3Kbytes SRAM存储器，最高工作频率24MHz。包含多种不同封装类型多款产品。

MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核，宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设，1 路 12bit ADC，多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式，可以满足不同的低功耗应用。

是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。提供以下特性：1K字节的系统内可编程闪存、64字节EEPROM、64字节SRAM、6个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个带比较模式的8位定时器/计数器、内部和外部中断、一个4通道10位ADC、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及三种软件可选的省电模式

特性：32位8051，也是优秀的16位机，更是兼容8位机的1位机。 10个32位累加器。 16个16位累加器。 16个8位累加器。 32位加减指令。 16位乘除指令。 32位乘除运算（MDU32）。 32位算术比较指令。 所有的SFR（80H~FFH）均支持位寻址。 ebdata（20H~7FH）全部支持位寻址。 单时钟32/16/8位数据读写（edata）。 单时钟端口读写。 堆栈理论深度可达64K（实际取决于edata）。 FreeRTOS for STC32G12K128：官方移植的高效稳定版已发布。 编译器：KEIL C251编译器

HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

高性能、低功耗的Atmel AVR 8位微控制器系列n先进的RISC架构 – 131条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 x 8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在20MHz下最高可达20 MIPS吞吐量 – 片上2周期乘法器n高耐久性的非易失性存储段 – 4/8/16/32KBytes的片内系统自编程Flash程序内存 – 256/512/512/1KBytes EEPROM – 512/1K/1K/2KBytes内部SRAM – 写入/擦除周期:10,000次Flash/100,000次EEPROM – 数据保留时间:85°C下20年/25°C下100年 – 可选的引导代码段，具有独立的锁定位n片内系统编程由片上引导程序实现真正的读写操作n软件安全的编程锁定nAtmel QTouch库支持 – 电容式触摸按钮、滑块和滚轮 – QTouch和QMatrix采集 – 最多64个感应通道n外设特性 – 两个8位定时器/计数器，具有独立预分频器和比较模式 – 一个16位定时器/计数器，具有独立预分频器、比较模式和捕获模式 – 带有单独振荡器的实时时钟 – 六个PWM通道 – 8通道10位ADC（TQFP和QFN/MLF封装）温度测量 – 6通道10位ADC（PDIP封装）温度测量 – 可编程串行USART – 主/从SPI串行接口 – 字节型2线串行接口（Philips I2C兼容） – 带有单独片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片内模拟比较器 – 引脚变化中断和唤醒n特殊微控制器特性 – 上电复位和可编程欠压检测 – 内部校准振荡器 – 外部和内部中断源 – 六种睡眠模式:空闲、ADC噪声减少、省电、掉电、待机和扩展待机nI/O和封装 – 23个可编程I/O线 – 28针PDIP，32引脚TQFP，28焊盘QFN/MLF和32焊盘QFN/MLF

STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（闪存最高达 64 KB，SRAM 最高达 8 KB），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART），一个 12 位 ADC，一个 12 位 DAC，最多五个通用 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备，从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。