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MSP430FR2311 具有 3.75KB FRAM、运算放大器、TIA、比较器、DAC、10 位 ADC 的 16MHz 集成模拟微控制器

工作电压：2V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM? Cortex?-M0 主频（MAX)：48MHz ROM类型：FLASH 6个Uart，64KB Flash，8KB RAM,LQFP-48

PIC12(L)F1571/2 微控制器结合了16位PWM与模拟功能，适用于多种应用。这些设备提供了三个带有独立定时器的16位PWM，适用于需要高分辨率的应用，如LED照明、步进电机、电源及其他通用应用。核心独立外设（16位PWM、互补波形发生器）、增强型通用同步异步收发器（EUSART）和模拟外设（ADC、比较器和DAC）能够实现闭环反馈和通信，适用于多个市场领域。EUSART外设支持LIN等应用中的通信。

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特性：工作条件:工作电源：1.8V至3.6V。温度范围：-40℃至85℃。低功耗特性:五种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：4.7μs

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特性：高精度内部振荡器：出厂时校准为±1% （典型值）；软件可选频率范围是31 kHz 到32 MHz。 节能的休眠模式。 上电复位（Power-on Reset，POR）。 上电延时定时器（Power-up Timer，PWRT）和振荡器起振定时器（Oscillator Start-up Timer，OST）。 欠压复位（Brown-out Reset，BOR）：可在2 个跳变点之间进行选择；可选择在休眠模式下禁止。 与上拉/ 输入引脚复用的主复位。 可编程代码保护。 宽工作电压范围：1.8V-5.5V （PIC16F1933）；1.8V-3.6V （PIC16LF1933）

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，具备扩展指令集。 中等密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes，在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年；数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM，耐久性为300 kcycles。 RAM：高达2 Kbytes。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统

2.5-5.5V供电，50MHz Cortex-M0,64KB的Flash，4KB的SRAM，工业级芯片。

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C/125°C。 存储器：高达128 KB的闪存，36 KB的SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

特性：C编译器优化架构：可选扩展指令集，用于优化可重入代码。 高达1024字节数据EEPROM。 高达64 KB线性程序内存寻址。 高达3896字节线性数据内存寻址。 高达16 MIPS操作。 16位宽指令，8位宽数据路径。 中断优先级。 31级软件可访问硬件堆栈

CC1310 具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低于 1GHz 无线 MCU

特性：工作电压范围：2.7至5.5V。 闪存写入电压范围：2.7至5.5V。 环境温度范围：-40至105°C。 高达48MHz Arm Cortex-M0+内核。 单周期32位x32位乘法器。 单周期I/O访问端口

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