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特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。 工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。 存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。 互连矩阵

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，具有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC带校准，32 kHz振荡器用于RTC带校准。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器，2个12位D/A转换器。 DMA：12通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

该产品是基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有ARM®单精度指令和数据类型。它实现了一套完整的DSP指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。

特性：核心：基于 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 并带有 MPU。最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。768 KB 至 1 MB 的闪存，96 KB 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。 复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

低功耗、精密模拟微控制器、双通道Σ-Δ型ADC，Flash/EE存储器，ARM7TDMI内核

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

TMS320F28027F 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ MCU

特性：±1 LSB INL；无漏码。 可编程吞吐量高达 200 ksps。 多达 24 个外部输入。 数据相关窗口中断发生器。 内置温度传感器 (±3℃)。 两个 12 位电流模式 DAC

通过在单个芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎 (SIE)、增强型8051微控制器和可编程外围接口，打造出一种经济高效的解决方案，具备低功耗优势，可实现总线供电应用，能提供出色的上市时间优势。其巧妙的架构使数据传输速率超过每秒53兆字节，达到USB 2.0的最大允许带宽，同时在小至56 VFBGA（5mm×5mm）的封装中使用低成本的8051微控制器。由于集成了USB 2.0收发器，相比USB 2.0 SIE或外部收发器实现方式，FX2LP更经济，占用空间更小。借助EZ-USB FX2LP，赛普拉斯智能SIE在硬件中处理大部分USB 1.1和2.0协议，使嵌入式微控制器可专注于特定应用功能，减少开发时间以确保USB兼容性

TMS320F28069F 具有 90MHz 频率、FPU、VCU、CLA、256KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ MCU

TM4C129ENCPDT 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

TMS320F28377S 具有 400MIPS、1 个 CPU、1 个 CLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ MCU

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.29μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留

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MSP430FR2433 具有 16KB FRAM、4KB SRAM、10 位 ADC、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

CC2340R SimpleLinkTM 系列器件为 2.4GHz 无线微控制器 (MCU)，面向低功耗 Bluetooth®5.3、Zigbee、Thread 和专有 2.4GHz 应用。这些器件针对低功耗无线通信进行了优化，并支持无线下载 (OAD) 功能，适用于楼宇自动化（无线传感器、照明控制、信标）、资产跟踪、医疗、零售 EPOS（电子销售终端）、ESL（电子货架标签）和个人电子产品（玩具、HID、触控笔）市场。

新的高性能、安全微控制器，具有更高的核心时钟速度、两倍的片上SRAM、更强大的Arm内核、可选的RISC-V内核、新的安全特性和升级的接口能力，相比其前代产品RP2040，性能和功能有显著提升。提供全面的安全架构，围绕用于Cortex-M的Arm TrustZone构建，并包含签名启动、8KB用于密钥存储的反熔丝OTP、SHA-256加速、硬件真随机数发生器和快速毛刺检测器。独特的双核、双架构能力允许用户在一对行业标准的Arm Cortex-M33内核和一对开源硬件Hazard3 RISC-V内核之间进行选择。三个高性能可编程I/O (PIO)协处理器，共有十二个独立状态机，支持软件定义的接口，几乎不占用CPU开销