Clestek · 电子元器件型号库
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特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
MSP430F2132 具有 8KB 闪存、512B SRAM、10 位 ADC、比较器和 I2C/SPI/UART 的 16MHz MCU
特性：强大的哈佛架构处理器。 M8C处理器速度高达24 MHz。 高速下低功耗。 工作电压：2.4 V至5.25 V。 使用片上开关模式泵（SMP）时工作电压低至1.0 V。 工业温度范围：-40℃至+85℃
特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）
特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期
MSP430F449 具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、SPI/UART 和 160 段 LCD 的 8MHz MCU
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是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备
频率 (MHz)：240，FLASH (KB)：1024，SRAM (KB)：224，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：QFN48
TMS320F280025 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128kB 闪存的 C2000™ MCU
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MSP430F5418A 具有 128KB 闪存、16KB SRAM、12 位 ADC、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和硬件乘法器的 25MHz MCU
基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。
特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存；256 Kbyte SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口；LCD并行接口，支持8080/6800模式。
特性：工作电压范围：2.7V至5.5V。 环境温度范围：HSRUN模式下为 -40°C至105°C，RUN模式下为 -40°C至150°C。 Arm Cortex-M4F/M0+内核，32位CPU。 支持高达112MHz频率（HSRUN模式），每MHz Arm内核1.25 Dhrystone MIPS，基于Armv7架构和Thumb-2 ISA。 集成数字信号处理器（DSP）。 可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。 单精度浮点单元（FPU）。 40MHz快速外部振荡器（SOSC），外部时钟模式下直流外部方波输入时钟高达50MHz
特性：ARM 32位Cortex M- M3 CPU内核。 最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时，性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 单周期乘法和硬件除法。 16或32 KB的闪存。 6或10 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O
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特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。 高达128 + 4 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式
特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
是基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核配备浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有 ARM® 单精度指令和数据类型。实现了一套完整的 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持
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