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特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

特性：未明确从文档中提取到符合特性定义的内容,仅在目录中出现“Features”字样,但无对应具体内容,故无符合要求的特性信息输出。

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

特性：高达200 ksps。多达32个外部单端输入。VREF来自片上VREF、外部引脚或VDD。内部或外部转换源启动。内置温度传感器。可编程迟滞和响应时间

MSP430F47187 具有 7 个 Σ-Δ ADC、160 段 LCD、DMA、116KB 闪存、8KB RAM 的 16MHz 多相计量 MCU

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

特性：核心：基于 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 并带有 MPU。最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。768 KB 至 1 MB 的闪存，96 KB 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式

AT91SAM9G20 基于 ARM926EJ-S 处理器的集成，并配备了快速 ROM 和 RAM 存储器以及一系列外设。AT91SAM9G20 集成了以太网 MAC、一个 USB 设备端口和一个 USB 主机控制器。它还集成了多个标准外设，如 USART、SPI、TWI、定时计数器、同步串行控制器、ADC 和多媒体卡接口。AT91SAM9G20 采用六层矩阵架构，允许最大内部带宽为六个 32 位总线。它还具有能够与多种存储设备接口的外部总线接口。AT91SAM9G20 是 AT91SAM9260 的增强版，具有相同的外设特性。除了电源引脚外，它在引脚上是兼容的。ARM 核心的速度提升至 400 MHz，系统总线和 EBI 的速度提升至 133 MHz。

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。 高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

TMS320F2806 具有 100 MHz 频率、64 KB 闪存、12 通道 PWM 的 C2000™ MCU

集成ARMCORTEXM3和单通道Σ-Δ型ADC的低功耗精密模拟微控制器

TMS320F28075 具有 120MHz 频率、FPU、TMU、512KB 闪存、CLA、SDFM 的 C2000™ MCU

公开页面暂无产品说明。

基于16/32位ARM7TDMI-S CPU，具有实时仿真和嵌入式跟踪支持，结合了32kB、64kB、128kB、256kB和512kB的嵌入式高速闪存。128位宽的内存接口和独特的加速器架构，可在最大时钟速率下实现32位代码执行。对于关键代码大小应用，替代的16位Thumb模式可将代码减少30%以上，且性能损失最小。由于尺寸小、功耗低，适用于小型化是关键要求的应用，如访问控制和销售点

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

适用于需要高度集成和低功耗的嵌入式应用。ARM Cortex-M3是下一代内核，在相同时钟速率下比ARM7具有更好的性能，还具备现代化调试功能和更高级别的支持块集成。CPU采用3级流水线和哈佛架构，有独立的本地指令和数据总线，以及一条性能稍低的外设总线，还包括一个支持投机分支的内部预取单元。添加了专门的闪存加速器，以在从闪存执行代码时实现最佳性能，CPU频率最高可达120 MHz

是一款高度集成的用于IPC的视觉处理器SoC，特别适用于人工智能相关应用。基于单核ARM Cortex-A7 32位内核，集成了NEON和FPU。