微控制器具有模拟、独立于内核的外设和通信外设,并结合超低功耗(XLP)技术,适用于广泛的通用和低功耗应用。设备具有多个PWM、多种通信功能、温度传感器和内存功能,如内存访问分区(MAP)以支持数据保护和引导加载程序应用,以及存储工厂校准值的设备信息区(DIA),有助于提高温度传感器的准确性。
Clestek · 电子元器件型号库
海量元器件型号,
快速搜索匹配。
206307 个型号已录入产品库,支持按品类、品牌、封装和型号检索。
按器件类型快速筛选。
HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
该产品属于GD32 MCU系列的超值系列,是一款基于高性能ARM Cortex-M3 RISC内核的32位通用微控制器,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex-M3是下一代处理器内核,与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。集成了以72 MHz频率运行的ARM Cortex-M3 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达64 KB的片上闪存和高达8 KB的SRAM
公开页面暂无产品说明。
特性:核心最大CPU频率:16 MHz。采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。中密度闪存/EEPROM。程序存储器:32 KB闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。数据存储器:128字节真实数据EEPROM,耐久性高达100k次写入/擦除周期
是低功耗CMOS 8位微控制器,基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高,同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。提供以下功能:2K/4K/8K字节的系统内可编程闪存、128/256/512字节EEPROM、128/256/512字节SRAM、12个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个带两个PWM通道的8位定时器/计数器、一个带两个PWM通道的16位定时器/计数器、内部和外部中断、一个8通道10位ADC、用于12个差分ADC通道对的可编程增益级(1倍、20倍)、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器、内部校准振荡器以及四种软件可选的节能模式
MSP430G2433 具有 8KB 闪存、512B SRAM、10 位 ADC、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU
特性:高性能RISC CPU: -仅需学习33条单字指令。 -除双周期的程序分支指令外,所有指令均为单周期。 -两级硬件堆栈。 -数据和指令采用直接、间接和相对寻址模式。 -工作速度:直流-20 MHz时钟速度;直流-200 ns指令周期时间。 -片上闪存程序存储器:PIC16F54为512 x 12;PIC16F57为2048 x 12;PIC16F59为2048 x 12
ATmega328PB 是一款基于 AVR 增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,ATmega328PB 可以实现接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量。这使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。该核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU),允许在单个时钟周期内执行的一条指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高,同时比传统的 CISC 微控制器快十倍。ATmega328PB 提供以下功能:具有读写同时进行功能的 32 KB 在系统可编程 Flash、1 KB EEPROM、2 KB SRAM、27 个通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、五个带比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、两个串行可编程 USART、两个字节级两线串行接口 (I2C)、两个 SPI 串行端口、8 通道 10 位 ADC(TQFP 和 QFN/MLF 封装)、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、时钟失效检测机制以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 而允许 SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI 端口和中断系统继续运行。PTC 支持最多 24 个自电容传感器和 144 个互电容传感器。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下,异步定时器继续运行,允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时器基准。此外,还支持 PTC 在省电模式下运行/触摸唤醒以及 PTC 模拟和数字部分的动态开关。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块,除了异步定时器、PTC 和 ADC,以减少 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下,晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于睡眠状态。这允许快速启动并结合低功耗。该设备采用高密度非易失性存储技术制造。片上 ISP Flash 允许通过 SPI 串行接口在系统中重新编程程序存储器,或者通过传统的非易失性存储器编程器或运行在 AVR 核心上的片上引导程序进行编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用程序 Flash 存储器中。当应用程序 Flash 部分更新时,引导 Flash 部分中的软件将继续运行,从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与片上在系统自编程 Flash 结合在一个单片芯片上,ATmega328PB 成为一种功能强大的微控制器,为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega328PB 由一套完整的程序和系统开发工具支持,包括 C 编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。
商城规格书仅供参考,具体参考小华官网最新资料手册
特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:32至128 KB的闪存;6至16 KB的SRAM,带硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:VD = 2.4V至3.6V;模拟电源:VDA = VD至3.6V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,可选x6 PLL;内部40 kHz RC振荡器。多达51个快速I/O:所有I/O均可映射到外部中断向量;多达51个I/O,具有5V容限能力
特性:32位Cortex-M0+内核,最高48MHz工作频率。 片上存储器Flash:256KB,SRAM:32KB。 HSECLK:支持4~32MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK:支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器。 HSICLK:出厂校准的8MHz RC振荡器。 HSICLK14:支持14MHz RC振荡器
特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器:高达128 Kbytes的闪存,带有保护和可安全区域;36 Kbytes的SRAM(32 Kbytes带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)
公开页面暂无产品说明。
MSP430G2744 具有 32KB 闪存、1KB SRAM、10 位 ADC、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU
公开页面暂无产品说明。
RL78/12
特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源:VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源:VDA从VDD至3.6V
是基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器,工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器(高达 64 Kbyte 闪存和 12 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM),以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设,还有一个 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制,如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和两个 16 位低功耗定时器。还嵌入了多达 21 个电容感应通道。具有标准和高级通信接口,即三个 I2C、两个 SPI、四个 USART 和两个低功耗 UART
特性:工作范围: 电压范围:2.7至5.5V。 Flash编程电压范围:2.7至5.5V。 温度范围(环境):-40至125℃。 性能: 最高48MHz的ARM Cortex-M0+内核。 单周期32位x32位乘法器。 单周期I/O访问端口
把参数交给工程师。
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。