N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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JSMSEMI(杰盛微)TO-247
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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D90N25-MNS 硅 N 沟道增强型 MOSFET 采用先进的 MOSFET 技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源 (SMPS)、高速开关和通用应用。
minos(迈诺斯)TO-247
场效应管(MOSFET)TO-247
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N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)TO-247
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P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)D2PAK
场效应管(MOSFET)TO-263
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N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
Infineon(英飞凌)D2PAK
场效应管(MOSFET)TO-263
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N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v
CRMICRO(华润微)TO-263
场效应管(MOSFET)TO-263
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P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)D2PAK
场效应管(MOSFET)TO-263
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P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V
Infineon(英飞凌)D2PAK
场效应管(MOSFET)TO-263
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N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
Infineon(英飞凌)D2PAK
场效应管(MOSFET)TO-263
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N沟道
CRMICRO(华润微)TO-263
场效应管(MOSFET)TO-263
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特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
CRMICRO(华润微)TO-263
场效应管(MOSFET)TO-263
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N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
Infineon(英飞凌)D2PAK
场效应管(MOSFET)TO-263
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P沟道增强型MOSFET。
HUAYI(华羿微)TO-263-2L
场效应管(MOSFET)TO-263
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特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器
TOSHIBA(东芝)TO-3P(N)
场效应管(MOSFET)TO-3P
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CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准
CRMICRO(华润微)TO-3P
场效应管(MOSFET)TO-3P
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超高压MOSFET
MASPOWER(麦思浦)TO-3PH
场效应管(MOSFET)TO-3P
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特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0 S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
TOSHIBA(东芝)SC-65
场效应管(MOSFET)TO-3P
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该款N沟道消费级MOSFET采用TO-3P封装，专为500V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达28A，适用于电源转换、电机驱动和工业设备的功率控制，具有卓越的低导通电阻与高效散热特性，是现代电子系统中实现高性能能源管理的理想选择。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-3P
场效应管(MOSFET)TO-3P
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