Clestek · 电子元器件型号库
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LVX373包含八个带3态输出的锁存器，适用于总线组织的系统应用。 当锁存使能(LE)为高电平时，锁存器对于数据而言是透明的。 当LE为低电平时，满足输入时序要求的数据被锁存。 当输出使能(OE#)为低电平时，数据显示在总线上。 当OE#为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。 输入容许电压达7V，允许5V系统到3V系统的连接。
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高速度的八进制 D 型锁存器采用先进的硅栅 P 阱 CMOS 技术。它们拥有标准 CMOS 集成电路的高抗噪性和低功耗，以及驱动 15 个 LS-TTL 负载的能力。由于具有大输出驱动能力和三态特性，这些器件非常适合在总线系统中与总线线路接口。当锁存使能 (LE) 输入为高电平时，Q 输出将跟随 D 输入
MC74HC573A的引脚排列与LS573相同。这些器件与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，它们也与LSTTL输出兼容。当锁存使能端为高电平时，这些锁存器对数据呈现透明状态（即输出异步变化）
VHC373是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制D型锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入（LE）和输出使能输入（OE）控制。当锁存使能（LE）为高电平时，锁存器对数据呈现透明状态；当LE为低电平时，满足建立时间的数据将被锁存。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可以承受0V至7V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备份）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
由八个带三态输出的锁存器组成，适用于总线系统应用。当锁存使能 (LE) 为高电平时，触发器对数据呈现透明状态；当 LE 为低电平时，满足建立时间的数据被锁存。当输出使能 (OE(overline)) 为低电平时，数据出现在总线上；当 OE(overline) 为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。
是一款高性能、同相 16 位透明锁存器，工作电源电压范围为 2.3V 至 3.6V。该器件为字节控制，每个字节都有独立的输出使能和锁存使能输入，这些控制引脚可以连接在一起以实现完整的 16 位操作。高阻抗 TTL 兼容输入显著降低了输入驱动器的电流负载，而 TTL 兼容输出则提高了开关噪声性能。5.5V 的 VI 规格允许其输入由 5.0V 器件安全驱动
SN74LS75 四路双稳态锁存器
MC74HC259A 与 LS259 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。HC259A 具有四种运行模式，如模式选择表中所示。在可寻址锁存模式下，数据输入上的数据将写入已寻址的锁存。已寻址锁存沿用数据输入，所有未寻址锁存保持在之前状态。在内存模式下，所有锁存保持在之前状态，不受数据或地址输入的影响。在 1/8 解码或信号分离模式下，已寻址输出遵循数据输入的状态，所有其他输出为低电平状态。在重置模式下，所有输出为低电平，不受地址和数据输入影响。HC259A 作为可寻址锁存运行时，更改地址的多个位可能会造成瞬变错误地址。因此，应在内存模式下完成此类更改。
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LVX373包含八个带3态输出的锁存器，适用于总线组织的系统应用。 当锁存使能(LE)为高电平时，锁存器对于数据而言是透明的。 当LE为低电平时，满足输入时序要求的数据被锁存。 当输出使能(OE#)为低电平时，数据显示在总线上。 当OE#为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。 输入容许电压达7V，允许5V系统到3V系统的连接。
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