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MM74HCT573 八路 D 型锁存和 MM74HCT574 八路 D 型触发器采用先进的硅门极 CMOS 技术制造,具有低功耗、电源范围宽的内在优势,同时具有 LS-TTL 输入和输出特性,并实现引脚输出兼容。3 态输出可驱动 15 个 LS-TTL 负载。通过内部二极管连接到 VCC 和接地,防止所有输入因静电放电受损。当 MM74HCT573 锁存启用输入为高电平时,Q 输出将跟随 D 输入。当锁存启用变为低电平时,D 输入端的数据将保留在输出端,直至锁存启用再次变为高电平。当对输出控制输入应用高逻辑电平时,所有输出将进入高阻抗状态,无论其他输入端存在什么信号以及存储元件的状态如何。MM74HCT574 是上升沿触发的触发器。符合设置和保持时间要求的 D 输入上的数据在时钟 (CK) 输入的正向转换时传输到 Q 输出。当对输出控制 (OC) 输入应用高逻辑电平时,所有输出将进入高阻抗状态,无论其他输入端存在什么信号以及存储元件的状态如何。MM74HCT 器件适合用作 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口。此类零部件也是 LS-TTL 器件的插件替代品,可用于降低现有设计的功耗。

onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)-
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)SOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MM74HCT573 八路 D 型锁存和 MM74HCT574 八路 D 型触发器采用先进的硅门极 CMOS 技术制造,具有低功耗、电源范围宽的内在优势,同时具有 LS-TTL 输入和输出特性,并实现引脚输出兼容。3 态输出可驱动 15 个 LS-TTL 负载。通过内部二极管连接到 VCC 和接地,防止所有输入因静电放电受损。当 MM74HCT573 锁存启用输入为高电平时,Q 输出将跟随 D 输入。当锁存启用变为低电平时,D 输入端的数据将保留在输出端,直至锁存启用再次变为高电平。当对输出控制输入应用高逻辑电平时,所有输出将进入高阻抗状态,无论其他输入端存在什么信号以及存储元件的状态如何。MM74HCT574 是上升沿触发的触发器。符合设置和保持时间要求的 D 输入上的数据在时钟 (CK) 输入的正向转换时传输到 Q 输出。当对输出控制 (OC) 输入应用高逻辑电平时,所有输出将进入高阻抗状态,无论其他输入端存在什么信号以及存储元件的状态如何。MM74HCT 器件适合用作 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口。此类零部件也是 LS-TTL 器件的插件替代品,可用于降低现有设计的功耗。

onsemi(安森美)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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LVT16373和LVTH16373包含十六个具有3态输出的同相闩锁,用于总线导向应用。 该器件受字节控制。 当闩锁使能(LE)为高电平时,触发器对数据来说是透明的。 当LE为低电平时,符合设置时间的数据将被锁存。 当输出使能(OE#)为低电平时,数据显示在总线上。 当OE#为高电平时,输出处于高阻抗状态。 LVTH16373数据输入包含总线保持功能,无需外部上拉电阻即可保持未用的输入。 这些闩锁设计用于低电压(3.3V) V

onsemi(安森美)TSSOP-48-6.1mm
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)SO-20P
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)SO-20P
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MC74VHCT573A 是一款先进的高速 CMOS 八路锁存,带 3 态输出,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 TTL 相似的高运行速度,同时保持了 CMOS 低功耗。此 8 位 D 型锁存由锁存启用和输出启用输入控制。当输出启用输入为高电平时,八个输出会处于高阻抗状态。VHCT 输入可与 TTL 电平兼容。此器件可用作电平转换器,用于接口 3.3V 和 5.0V,因为它具有全 5V CMOS 电平输出摆幅。VHCT573A 输入和输出(禁用时)结构在应用 0 - 5.5V 的电压时提供保护,而无论电源电压如何。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

onsemi(安森美)TSSOP-20
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onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
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高性能硅门极 CMOS MC74HCT573A 与 LS573 的引脚输出相同。此器件可用作将 TTL 或 NMOS 输出联接到高速 CMOS 输入的电平转换器。此类锁存在锁存启用为高电平时对于数据透明(即输出异步变化)。当锁存启用进入低电平时,符合设置和保持时间要求的数据变为锁存状态。输出启用输入不影响锁存的状态,但当输出启用为高电平时,所有器件输出都被强制为高阻抗状态。因此,即使在输出不启用时也可锁存数据。HCT573A 与 HCT373A 功能相同,但在封装的输出对侧上具有数据输入,简化了 PC 主板布局。

onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
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onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
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onsemi(安森美)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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LVT373和LVTH373包含八个带有3态输出的闩锁,适合用于总线结构的系统应用。 当锁存使能(LE)为高电平时,锁存器对于数据而言是透明的。 当LE为低电平时,满足输入时序要求的数据被锁存。 当输出使能(OE#)为低电平时,数据显示在总线上。 当OE#为高电平时,总线输出处于高阻抗状态。 LVTH373数据输入包含总线保持功能,无需外部上拉电阻即可保持未用的输入。 这些八通道闩锁设计用于低电压(3.3V) V

onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
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onsemi(安森美)SOIC-20
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onsemi(安森美)SOIC-20-Wide
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onsemi(安森美)SC-88(SC-70-6)
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onsemi(安森美)SOIC-16
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MM74HCT373八路D型锁存器和MM74HCT374八路D型触发器采用了先进的硅栅极CMOS技术,可以提供低功耗和宽电源范围的固有优势,但是与LS-TTL输入和输出特性以及引脚分配兼容。 3态输出能够驱动15 LS-TTL负载。 保护所有输入端,以免因内部二极管至V

onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
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