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RENESAS(瑞萨)/IDTSSOP-48-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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NXP(恩智浦)-
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RENESAS(瑞萨)/IDTTSSOP-48-6.1mm
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RENESAS(瑞萨)/IDTTSSOP-48
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RENESAS(瑞萨)/IDTTVSOP-48
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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NXP(恩智浦)SSOP-48
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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TOSHIBA(东芝)DIP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)SOIC-16
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)TSSOP-56-6.1mm
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MICROCHIP(美国微芯)PLCC-20(9x9)
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)TSSOP-56
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MICROCHIP(美国微芯)PLCC-20(9x9)
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MICROCHIP(美国微芯)PLCC-20(9x9)
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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可实现灵活的串行至串行或串行至并行数据转换功能,满足不同系统配置需求,能有效管理和传输大量信息流,以卓越性能提升系统整体效率。

JSMSEMI(杰盛微)SOP-16
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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是一个带有存储寄存器和三态输出的8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联,并具有一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位。当输出使能输入 (OE) 为低电平时,存储寄存器中的数据会出现在输出端。OE 上的高电平使输出呈现高阻抗关断状态。OE 输入的操作不影响寄存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

Nexperia(安世)TSSOP-16
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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SN74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

TI(德州仪器)TSSOP-16
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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SN74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

TI(德州仪器)SOIC-16
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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是一个带有存储寄存器和三态输出的8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联,并具有一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位。当输出使能输入 (OE) 为低电平时,存储寄存器中的数据会出现在输出端。OE 上的高电平使输出呈现高阻抗关断状态。OE 输入的操作不影响寄存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

Nexperia(安世)DHVQFN-16-EP(2.5x3.5)
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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是 8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0 至 D7) 和两个互补串行输出 (Q7 和 Q7)。当并行加载输入 (PL) 为低电平时,数据从 D0 至 D7 异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时,数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时,数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入可承受高达 15 V 的过电压,这使该器件可用于高到低电平转换应用。

Nexperia(安世)TSSOP-16
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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HEF4094B是一款8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器,带有一个存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器均有独立的时钟。该器件具有一个串行输入(D)和两个串行输出(QS1和QS2),支持级联操作

Nexperia(安世)SOIC-16
微控制器 / 逻辑器件移位寄存器
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