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8位带输出寄存器的移位寄存器。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位带输出寄存器的移位寄存器，能实现类似于等效LSTTL的高速操作，同时保持CMOS的低功耗。包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立，因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且在移位寄存器和存储寄存器上都提供了直接覆盖清除（SCLR和RCLR）功能。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

是 8 位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器。移位和存储寄存器均提供独立的时钟和复位输入。该器件具有串行输入 (DS) 和串行输出 (Q7S)，可实现级联。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位，移位寄存器中的数据在 STCP 输入的低到高转换时传输到存储寄存器

CD4015B CMOS 双路 4 级静态移位寄存器

74HC4094-Q100；74HCT4094-Q100 是一款 8 位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有一个存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（D）和两个串行输出（QS1 和 QS2），支持级联

是一个带输入触发器的 8 位移位寄存器。它由一个 8 位存储寄存器和一个并行输入、串行输出的 8 位移位寄存器组成。存储寄存器和移位寄存器都有正边沿触发时钟。移位寄存器还有直接加载（来自存储）和清零输入。输入包括钳位二极管，允许使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

MC74HCT595A由一个8位移位寄存器和一个8位D型锁存器组成，并带有三态并行输出。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出。移位寄存器还向8位锁存器提供并行数据。移位寄存器和锁存器具有独立的时钟输入。该器件还具有用于移位寄存器的异步复位功能。 HCT595A 可直接与 CMOS MPU 和 MCU 上的 SPI 串行数据端口连接。器件输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出。

输入兼容TTL电压。8位串行输入、并行输出移位寄存器。移位寄存器具有直接清除功能。门锁性能超过100mA，符合JESD78 II类规范。ESD保护性能超过JESD22规范要求：2000V人体放电模型(A114-A)；200V机器放电模型(A115-A)；1000V充电器件模型(C101)。器件包含可对8位D类存储寄存器进行馈送的8位串行输入、并行输出移位寄存器。移位寄存器时钟(SRCLK)和存储寄存器时钟(RCLK)均为正边沿触发。

是一个带有存储寄存器的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器都提供独立的时钟和复位输入。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S)，以实现级联。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位，移位寄存器中的数据在 STCP 输入的低到高转换时传输到存储寄存器。如果两个时钟连接在一起，移位寄存器将始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲。两个寄存器复位引脚 (SHR 和 STR) 中的一个为低电平将清除相应的寄存器。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

SN74LV594A 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

TC74VHC595是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速8位移位寄存器/锁存器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据

该产品是采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器（三态）。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行。该产品包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

CD4094B CMOS 8 级移位存储总线寄存器

74HC164是一款采用高速CMOS工艺技术设计的两线输入的8位寄存器。寄存器由主从D型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。 在时钟CLOCK上升沿到来时8位二进制数据（Qa~Qg）向右移一位。

8 位三态锁存器移位寄存器

低噪声、低功耗、高速的COMS移位寄存器，能够驱动15个LS-TTL的负载。8位串行输入，并行输出的移位寄存器及带有三态输出控制的8位D行储存器。

SN74HC/HCT595是带有一个存储寄存器和三态输出的8位串入/串或并出的移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入(DS)和一个串行输出(O7S)，以实现级联和一个异步复位MR输入。MR上的低电平将复位移位寄存器。数据在SHCP输入上升沿时发生移位。移位寄存器中的数据在STCP输入的上升沿时被传输到存储寄存器。如果两个时钟都连接在一起，则移位寄存器将始终比存储寄存器早一个时钟脉冲。每当使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据就会出现在输出中。OE上的高电平导致输出呈现高阻态。OE输入的变化不会影响寄存器的状态。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

CMOS移位寄存器，工作电压2-5.5v，应用于LED数码管，自动化工程控制，不建议多个级联使用

作电压为 2.0V~6.0V，兼容多种数字系统电源。

74HC164D-HX/74HC164N-HX为8位边沿触发移位寄存器，串行输入，并行输出。时钟上升沿数据右移一位，移入位为DSA与DSB的与。复位低电平异步清零。特性：工作电压2~6V，异步复位，输入电流0.1μA，闭锁≤250mA，ESD保护（HBM≥1500V，CDM≥1000V）

8 位并行负载移位寄存器 -40 to 125