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HT4015A双4位静态移位寄存器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。它由两个相同且独立的4位移位串行输入/并行输出寄存器组成。每个寄存器都有独立的时钟和复位输入，以及一个串行数据输入

74系列 逻辑芯片 高速CMOS两线输入的 8 位移位寄存器

74LV4094是一款8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器均有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（D）和两个串行输出（QS1和QS2），支持级联

是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，具有串行数据输入（SER）、八个并行数据输入（D0至D7）和两个互补串行输出（Q7和Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，数据从D0至D7异步加载到移位寄存器中。当PL为高电平时，数据在SER处串行进入寄存器。当时钟使能输入（CE）为低电平时，数据在CLK输入的低到高转换时移位。CE为高电平时将禁用CLK输入。输入可承受高达15V的过电压，可用于高到低电平转换应用。

74HC164 是一款采用高速CMOS 工艺技术设计的两线输入的8 位寄存器。寄存器由主从D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。

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移位寄存器 逻辑电路的归属系列：74HC 逻辑类型：移位寄存器 输出类型：推挽式 功能：并行至串行 工作电压：2V~6V

SN74HCS596 8 位串行输入/并行输出移位寄存器

SN74HCS595-Q1 具有施密特触发输入和三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器

8 位移位寄存器（并行输入，串行输出）。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位并行/串行输入、串行输出移位寄存器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出 8 位移位寄存器组成

是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL) 引脚兼容，符合JEDEC标准No. 7-A。是8位、非反相、串行输入、并行输出移位寄存器，为8位D型存储寄存器提供输入。移位和存储寄存器均提供独立时钟 (SHCP和STCP) 和直接覆盖清除 (SHR和STR) 功能。提供串行输出 (Q7S) 用于级联。移位和存储寄存器时钟均为正边沿触发。如果用户希望将两个时钟连接在一起，移位寄存器将始终比存储寄存器超前一个计数脉冲。

SN74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

VHC595是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS移位寄存器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。该器件包含一个8位串行输入、并行输出的移位寄存器，其输出连接到一个8位D型存储寄存器

SN74HC595B 具有三态输出的 8 位移位寄存器

器件包含一个可对8位D类存储寄存器进行馈送的8位串行输入、并行输出移位寄存器。存储寄存器具有并行三态输出。移位寄存器和存储寄存器各自具备独立时钟。移位寄存器具有直接覆盖清除(SRCLR)输入以及用于级联结构的串行(SER)输入和串行输出。当输出使能端(OE)输入为高电平时，所有输出（QH除外）均处于高阻抗状态。

是8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联，以及一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器

SN74LV595A 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

SN74HCS595 具有施密特触发输入和三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

CD54HCT164 高速 CMOS 逻辑 8 位串行输入/并行输出移位寄存器

带存储器的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器