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UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为200mΩ。该器件适用于需要高效开关性能的高功率场景，其低导通电阻有助于降低工作损耗，提高系统效率。凭借较高的电流和电压耐受能力，该MOSFET可广泛用于电源转换、电机控制及高频率电路设计等领域，为电路提供稳定可靠的导通与截止控制。

这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中

CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P（N），符合RoHS标准

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选

N沟道,200V,18A,150mΩ@10V

P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅，符合RoHS标准，无卤

N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V

特性：结合了快速开关速度和坚固的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 25A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 22mΩ(VGS = 10V)

特性：扩展工作温度 TVJop。 低开关损耗。 低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。应用：高功率转换器。 电机驱动器

特性：扩展工作温度 TVJop。 低开关损耗。 低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。 绝缘底板。应用：高频开关应用。 电机驱动

特性：电气特性: -VCES = 1200V。 -ICnom = 600A / ICRM = 1200A。 -TRENCHSTOP IGBT7 VCE,sat 具有正温度系数。 机械特性: -4 kV AC 1 分钟绝缘。 -高爬电和电气间隙距离。 -高功率密度。应用：伺服驱动器。 太阳能应用

4件套 62mm C系列模块，采用快速沟槽/场截止型IGBT4和优化型发射极控制二极管

特性：AC开关。 高速开关。 电压驱动。 低电感模块结构。应用：UPS、PCS的AC开关