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超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32 MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、AES-256

这款超低功耗的FRAM微控制器系列由多个设备组成，具有嵌入式非易失性FRAM、16位CPU和不同的外设组合，适用于各种应用。该架构、FRAM和外设与七种低功耗模式相结合，经过优化，可在便携式和无线传感应用中延长电池寿命。FRAM是一种新的非易失性存储器，它将SRAM的速度、灵活性和耐用性与闪存的稳定性和可靠性相结合，同时降低了总功耗。

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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原FREESCALE(飞思卡尔)

特性：仅需学习35条指令：除分支指令外均为单周期指令。 工作速度：DC – 20 MHz振荡器/时钟输入；DC – 200 ns指令周期。 中断能力。 8级深度硬件堆栈。 直接、间接和相对寻址模式。 精密内部振荡器：工厂校准至±1%；软件可选8 MHz至31 kHz频率范围；软件可调；双速启动模式；关键应用的晶体故障检测；运行期间时钟模式切换以节省功耗

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特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

基于Arm® Cortex®-M4F内核的高新能拓展型MCU

特性：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU。最高288 MHz工作频率，带存储器保护单元（MPLU），内建单周期乘法和硬件除法。内建浮点运算单元（FPU）。具有DSP指令集。256 K字节至4032 K字节的内部闪存储器。sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。默认384 K字节的SRAM，最大可设定为512 K字节。具有16位数据总线的外部存储器控制器（XMC）：支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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是低功耗、基于AVR增强型RISC架构的CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行指令，器件每兆赫兹可实现接近每秒一百万条指令（MIPS）的CPU吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式（5个唤醒引脚）。28nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式，带RTC时为1.28μA。84μA/MHz运行模式（LDO模式）

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该设备属于GD32 MCU系列的高性能产品线。它是一款基于ARM® Cortex®-M3 RISC内核的新型32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳的性价比。Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了工作频率为120 MHz的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和256 KB的SRAM。大量增强的I/O和外设连接到两条APB总线

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间（从闪存）

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基于Arm® Cortex®-M4F内核的高新能拓展型MCU

特性：AEC-Q10x合格。核心:最大CPU频率：24 MHz。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8A内核。平均每条指令1.6个周期，在16 MHz CPU频率下可实现10 MIPS（行业标准基准测试）。存储器:程序存储器：32至128 Kbyte Flash程序；在55℃下数据保留20年。数据存储器：高达2 Kbyte真数据EEPROM；耐久性300 key/le