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特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。 复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 带RTC的待机模式电流为280nA。 停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

提供所有PIC18微控制器的优势，即具有经济的价格和高计算性能，并增加了高耐久性的增强型闪存程序存储器。此外，该系列产品还引入了设计改进，使其成为许多高性能、对功耗敏感应用的理想选择。

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/105/125℃温度范围。V(BAT)模式下200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式（5个唤醒引脚）。28nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式，带RTC时1.28μA

应用：Standard：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；视听设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人。High Quality：运输设备（汽车、火车、轮船等）；交通控制系统；防灾系统；防盗系统；安全设备；非专门用于生命支持的医疗设备

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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特性：仅需学习35条单字指令。 除程序分支为双周期指令外，其余均为单周期指令。 工作速度：直流-20MHz时钟输入，直流-200ns指令周期。 高达8K×14字的闪存程序存储器，高达368×8字节的数据存储器（RAM），高达256×8字节的EEPROM数据存储器。 引脚与其他28引脚或40/44引脚的PIC16CXXX和PIC16FXXX微控制器兼容。 Timer0：带8位预分频器的8位定时器/计数器

特性：电源管理模式：运行：CPU开启，外设开启。空闲：CPU关闭，外设开启。睡眠：CPU关闭，外设关闭。 双速振荡器启动。 故障安全时钟监视器。 节能外设模块禁用（PMD）

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，24 MHz 最大频率，1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）性能，单周期乘法和硬件除法。256 至 512 Kbytes 的闪存。24 至 32 Kbytes 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 SRAM、PSRAM 和 NOR 内存。LCD 并行接口，8080/6800 模式。2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O

基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU，带256 K字节至4032 K字节 内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、 摄像头、18个定时器、3个ADC、30个通信接口

特性：32位Cortex-M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和L1缓存：8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备MPU，462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节的OTP存储器。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM） + 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。

混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案

TMS320F28062 具有 90MHz 频率、FPU、128KB 闪存、52KB RAM 的 C2000™ MCU

特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM：系统（192KB）+ 备份（4KB）。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压：1.71V至3.6V。工作温度范围： -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流：300nA。关机模式电流：30nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流：120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流：420nA。Stop 2模式电流：1.1μA，带RTC时为1.4μA

是一系列基于32位ARM RISC处理器的低引脚数闪存微控制器。具有高速闪存和SRAM，大量外设，包括USB 2.0设备（SAM7S32和SAM7S16除外），以及一套完整的系统功能，可最大限度减少外部组件数量。是寻求更高性能和更大内存的8位微控制器用户的理想升级选择。嵌入式闪存可通过JTAG-ICE接口在系统内编程，或在安装前通过生产编程器上的并行接口编程。内置锁定位和安全位可防止固件意外覆盖并保护其机密性。系统控制器包括一个复位控制器，能够管理微控制器和整个系统的上电顺序。内置欠压检测器和看门狗可监控设备的正确运行。

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

特性：电源管理特性：运行：CPU开启，外设开启。空闲：CPU关闭，外设开启。睡眠：CPU关闭，外设关闭。超低50nA输入泄漏电流。运行模式电流低至典型值11μA。空闲模式电流低至典型值2.5μA