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TMS320F280049 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、PGA、SDFM 的 C2000™ MCU

是基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核配备浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有 ARM® 单精度指令和数据类型。实现了一套完整的 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备内存保护单元、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM：192KB TCM RAM（包括64KB ITCM RAM + 128KB用于时间关键程序的DTCM RAM），864KB用户SRAM和4KB备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：同步模式下SRAM、PSRAM、NOR闪存时钟频率高达133MHz；支持SDRAM/LPSDR SDRAM；支持8/16位NAND闪存；具备CRC计算单元。 支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级，具备安全访问模式。 多达168个具有中断能力的I/O端口

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混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案

低功耗、精密模拟微控制器、双通道Σ-Δ型ADC，Flash/EE存储器，ARM7TDMI内核

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART Accelerator™）和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU，8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 64KB闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节一次性可编程（OTP）内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存（TCM）RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。 灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。 双模式四路串行外设接口（Quad-SPI）。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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TM4C1230C3PM 基于 ARM® Cortex®-M4F 的高性能 32 位 MCU

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特性：核心：32 位 ARM Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，具备内存保护单元，210 DMiPS / 1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 内存：高达 1 Mbyte 的闪存；高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64 Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。

TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

这是一款嵌入式微处理器单元，具有连接外设、高数据带宽架构和小尺寸封装选项，是工业应用的优化解决方案。其接口外设包括支持与ITU-R BT. 601/656 8位模式兼容传感器及高达12位灰度传感器直接连接的相机接口。通信外设包括仅支持Conexant SmartDAA线路驱动器的软调制解调器、带片上收发器的HS（480 Mbps）USB主机和设备端口、FS USB主机、10/100以太网MAC、两个HS SDCard/SDIO/MMC接口、USART、SPI、I²S、多个TWI和10位ADC。多层总线矩阵与2×8 DMA通道以及专用于通信和接口外设的DMA相连，确保数据传输不间断且处理器开销最小

特性：内核：120 MHz/150 DMIPS MIPS32 M4K。MIPS16e模式，代码大小最多可缩小40%。代码高效（C和汇编）架构。单周期 (MAC) 32×16 和双周期 32×32 乘法。时钟管理：0.9% 内部振荡器。可编程PLL和振荡器时钟源

基于ARM Cortex-M3的微控制器，适用于嵌入式应用，具有高度集成和低功耗的特点。Arm Cortex-M3是下一代内核，提供系统增强功能，如增强的调试功能和更高级别的支持模块集成。LPC1768/67/66/65/64/63的CPU频率最高可达100 MHz，LPC1769的CPU频率最高可达120 MHz。

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

微处理器 - MPU

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

TMS320F28069-Q1 具有 90MHz 频率、FPU、VCU、256KB 闪存、CLA 的汽车类 C2000™ MCU