海量元器件型号，
快速搜索匹配。

i.MX 8M Nano SoloLiteArm Cortex-A53, Arm Cortex-M7Core: Number of cores (SPEC)1SRAM (kB)512支持外部存储器DDR3L SDRAM, DDR4 SDRAM, ECC, LPDDR4 DRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, QSPISerial Communication3 x SPI, 4 x I?C, 4 x UARTI2S5CAN-Serial Audio Interface (SAI)5EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM4ADC [Number, bits]Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)

特性：核心：32位ARM Cortex M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护）。 528字节的OTP内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。 灵活的外部存储器控制器，具备高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 双模式Quad-SPI。 时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O

混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案

特性：40 MHz HCS08 CPU（中央处理器单元）。 20 MHz 内部总线频率。 HC08 指令集，增加 BGND 指令。 单线背景调试模式接口。 断点功能，允许在在线调试期间设置单个断点（片上调试模块中还有两个断点）。 片上实时在线仿真（ICE），带有两个比较器（BDM 中还有一个）、九种触发模式和片上总线捕获缓冲区

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源供电。40°C至105°C温度范围。290 nA待机模式（3个唤醒引脚）。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式（16个唤醒线）

特性：超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围：1.71V 至 3.6V。温度范围：-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式（BAM）：VBAT 模式下 187nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式：17nA（5 个唤醒引脚）。待机模式：108nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式：222nA。带 RTC 的停止 2 模式：3.16μA。运行模式（LDO 模式）：106μA/MHz

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。 高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

特性：电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。高达100MHz ARM Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。非FlexMemory设备上高达512KB程序闪存。FlexMemory设备上高达256KB程序闪存

是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。

公开页面暂无产品说明。

32位片上系统（SoC）微控制器系列是集成汽车应用控制器的最新成果，属于以汽车为重点的产品系列，旨在满足车辆内下一代车身电子应用的需求。该系列采用先进且经济高效的e200zoh主处理器内核。

LPC2141/42/44/46/48 微控制器基于16位/32位ARM7TDMI-S CPU，支持实时仿真和嵌入式跟踪。这些微控制器结合了从32 kB到512 kB的嵌入式高速闪存。128位宽的存储器接口和独特的加速架构使得能够在最大时钟频率下执行32位代码。对于关键代码大小的应用程序，可选的16位Thumb模式可以减少超过30%的代码量，且性能损失很小。由于其体积小、功耗低，LPC2141/42/44/46/48非常适合于小型化是关键要求的应用，如门禁控制和销售点设备。从USB 2.0全速设备、多个UART、SPI、SSP到I2C总线以及8 kB至40 kB的片上SRAM，使这些器件非常适合通信网关和协议转换器、软调制解调器、语音识别和低端成像应用，提供大缓冲区和高处理能力。各种32位定时器、单个或双10位ADC、10位DAC、PWM通道以及多达45条快速GPIO线路（最多九个边沿或电平敏感外部中断引脚）使得这些微控制器适用于工业控制和医疗系统。

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。 高达128 + 4 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存）的ARM 32位Cortex-M7 CPU，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

32位 112MHz 1MB（1Mx8）闪存

TMS320F28069F 具有 90MHz 频率、FPU、VCU、CLA、256KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ MCU

是C2000实时微控制器系列中的一款可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子设备的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用GaN和SiC技术。实时控制子系统基于TI的32位C28xDSP内核，可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码在每个内核中提供200MIPS的信号处理性能。这相当于基于Cortex-M7的器件上的400MHz处理能力（C28xDSP内核提供的性能比Cortex-M7内核高两倍）。三角函数加速器(TMU)和循环冗余校验（VCRC)扩展指令集进一步增强了C28xCPU的性能，从而加快了对实时控制系统很关键的常用算法的速度。利用扩展指令集实现IEEE双精度64位浮点数学。最后，控制律加速器（CLA）使每个内核具有额外200MIPS的独立处理能力

TMS320F28375D 具有 800MIPS、2 个 CPU、2 个 CLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000™ MCU

TMS320F28035-Q1 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的汽车类 C2000™ MCU