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特性：大容量4096字节片内RAM数据存储器。 高速：1个时钟/机器周期，增强型8051内核，速度比传统8051快7～12倍，比STC早期的1T系列单片机速度快20%。 宽电压：2.5V～5.5V。 低功耗设计：低速模式，空闲模式，掉电模式（可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒）。 不需外部复位的单片机，ISP编程时16级复位门槛电压可选，内置高可靠复位电路。 不需外部晶振的单片机，ISP编程时内部时钟从5MHz~30MHz可设，内部高精度R/C时钟(±0.3%)，±1%温飘(-40℃~+85℃)，常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。 支持掉电唤醒的资源有：INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可)，INT2/INT3/INT4(下降沿中断)；CCP0/CCP1/RxD/RxD2/RxD3/RxD4/T0/T1/T2/T3/T4管脚；内部掉电唤醒专用定时器。 16/32/40/48/56/58K/61K/63.5K字节片内Flash程序存储器，擦写次数10万次以上

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是基于标准 RISC-V 指令集架构的 32 位通用 MCU 微处理器。根据不同的应用场景和指令集组合，该系列包括 V4A、V4B、V4C、V4J、V4F。V4 系列均支持 RV32IMAC 指令集扩展，其中 V4F 支持单精度硬件浮点，即支持 RV32IMACF 扩展。V4B、V4C、V4J、V4F 还支持自定义扩展 XW，除了硬件前言/后记 (HPE)、无向量表 (VTF)、简化的 1/2 线调试接口、支持 “WFE” 指令、物理内存保护 (PMP) 等功能外，V4J 还支持指令缓存。

特性：高性能 RISC CPU: -仅需学习 35 条指令。 -除分支指令外，所有指令均为单周期指令。 -工作速度: -DC-20 MHz 振荡器/时钟输入。 -DC-200 ns 指令周期。 -中断能力。 -8 级深度硬件堆栈

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

特性：高性能RISC CPU：仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC – 20 MHz振荡器/时钟输入，DC – 200 ns指令周期。中断能力。8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。 特殊微控制器特性：精密内部振荡器：工厂校准至±1%

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器：高达64 KB的闪存，具备保护和可安全区域；8 KB的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

HC32A136 系列是超低功耗、宽电压工作范围的 MCU，旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及比较器、运放、高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建 AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件，支持 C 语言及汇编语言，汇编指令。

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ESP32-C3 是一款低功耗、高集成度的 MCU 系统级芯片 (SoC)，集成 2.4 GHz Wi-Fi 和低功耗蓝牙 (Bluetooth® LE) 无线通信。

配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器

MSP430F448 具有 48KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、SPI/UART 和 160 段 LCD 的 8MHz MCU

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特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

MSP430I2041 具有 4 个 24 位 Σ-Δ ADC、2 个 16 位计时器、32KB 闪存、2KB RAM 的 16MHz 计量 AFE

基于Arm® Cortex®-M3 内核的32位微控制器

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。 具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设