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MSP430F1611 具有 48KB 闪存、10KB SRAM、12 位 ADC、双通道 12 位 DAC、比较器、DMA 和 I2C/SPI/UART 的 8MHz MCU

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

CH569和CH565微控制器使用RISC-V3A内核，支持RISC-V指令的IMAC子集。片上采取128位数据宽度的DMA以支持多个高速外设的高带宽需求，实现大数据量的高速传输。外设包括USB3.0超速、USB2.0高速主机和设备控制器及收发器PHY、千兆以太网控制器、专用高速SerDes控制器及收发器PHY、SD/EMMC接口控制器、加解密模块、高速并行接口、数字视频接口DVP等，可广泛应用于流媒体、即时存储、超高速FIFO、通讯延长、安防监控等应用场景。

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应用：运输设备(汽车、火车、轮船等)。交通控制(交通信号灯)。大型通信设备。关键金融终端系统。安全控制设备

TMS320F28034-Q1 具有 60MHz 频率、128KB 闪存的汽车类 C2000™ MCU

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

特性：电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。高达100MHz ARM Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。非FlexMemory设备上高达512KB程序闪存。FlexMemory设备上高达256KB程序闪存

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特性：8K 至 60K 双电压闪存程序存储器或带读出保护功能的 ROM，支持应用内编程和在线编程。 384 至 1.5K RAM。 HDFlash 耐久性：100 个周期，在 85℃ 下数据保留 40 年。 增强型复位系统。 用于主电源的增强型低压监控器 (LVD) 和带中断功能的辅助电压检测器 (AVD)。 时钟源：晶体/陶瓷谐振器振荡器和外部时钟旁路，时钟安全系统

AT90CAN32/64/128 是一种基于增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，AT90CAN32/64/128 实现了接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR 核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时比传统的 CISC 微控制器快十倍。AT90CAN32/64/128 提供以下特性：32K/64K/128K 字节的带有读写同时进行功能的系统内可编程闪存，1K/2K/4K 字节 EEPROM，2K/4K/4K 字节 SRAM，53 条通用 I/O 线，32 个通用工作寄存器，一个 CAN 控制器，实时时钟 (RTC)，四个具有比较模式和 PWM 的灵活定时器/计数器，两个 USART，面向字节的两线串行接口，8 通道 10 位 ADC（带可选差分输入级和可编程增益），带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，SPI 串行端口，符合 IEEE std. 1149.1 标准的 JTAG 测试接口（也用于访问片上调试系统和编程）以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 运行，但允许 SRAM、定时器/计数器、SPI/CAN 端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。ADC 噪声抑制模式停止 CPU 和所有 I/O 模块（除了异步定时器和 ADC），以在 ADC 转换期间最小化开关噪声。在待机模式下，晶振/谐振器振荡器运行，而设备其余部分处于睡眠状态。这使得可以实现非常快速的启动，并且功耗较低。该设备使用 Atmel 的高密度非易失性存储技术制造。片上 ISP 闪存允许通过 SPI 串行接口、传统非易失性存储器编程器或运行在 AVR 核心上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用闪存中。当应用闪存部分更新时，引导闪存部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与片上自编程闪存结合在单片芯片上，Atmel AT90CAN32/64/128 是一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且经济高效的解决方案。

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

特性：内核：120 MHz/150 DMIPS MIPS32 M4K。MIPS16e模式，代码大小最多可缩小40%。代码高效（C和汇编）架构。单周期 (MAC) 32×16 和双周期 32×32 乘法。时钟管理：0.9% 内部振荡器。可编程PLL和振荡器时钟源

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是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT