MOSFET 热设计清单：从 RDS(on) 到铜皮温升

先计算真实损耗

导通损耗可从 I²R 开始，但 RDS(on) 必须使用实际栅压和高结温下的值。对 PWM 应用，还要按占空比与电流波形计算 RMS 电流。

开关损耗与栅极驱动速度、米勒平台、母线电压和开关频率相关。二极管反向恢复和死区时间也可能成为主要热源。

热阻必须对应真实结构

RθJA 只有在与手册测试板相近时才有参考意义。裸露焊盘、铜面积、过孔阵列和相邻发热器件都会改变最终温升。

更稳妥的方法是把结到壳、壳到 PCB、PCB 到环境分段建模，并用热像仪或热电偶校准。

额定电流不是设计电流；允许结温和实际散热路径才决定持续电流。

最后检查瞬态与故障

启动浪涌、堵转和短路往往比稳态更严苛。用安全工作区曲线检查脉冲宽度、漏源电压与电流组合。

同时确认栅极在上电、掉电和 MCU 复位期间不会悬空，必要时加入下拉、电阻和硬件关断路径。